[发明专利]基于萘二酰亚胺-亚乙烯基-低聚噻吩-亚乙烯基聚合物的半导体材料在审
| 申请号： | 201380065758.7 | 申请日： | 2013-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN105051087A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | A·K·米什拉;Y·关;H·诺古基;M·周;C·焦;F·德兹 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司;破立纪元有限公司 |
| 主分类号： | C08G61/12 | 分类号： | C08G61/12;H01L51/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 张双双;刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 萘二酰 亚胺 乙烯基 噻吩 聚合物 半导体材料 | ||
1.一种包含下式单元的聚合物：
其中
R1和R2相互独立地为C1-30烷基、C2-30链烯基、C2-30炔基、苯基或5-8员杂环体系，
其中C1-30烷基、C2-30链烯基或C2-30炔基各自可以被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO2、-OH、-NH2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-NH-C(O)-(C1-20烷基)、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-CO(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-O-C1-20烷基、-O-C(O)-C1-20烷基、-SiH3、SiH2(C1-20烷基)、SiH(C1-20烷基)2、Si(C1-20烷基)3、C4-8环烷基、苯基和5-8员杂环体系的取代基取代，以及
苯基或5-8员杂环体系可以被1-5个C1-16烷基取代，
o为1、2或3以及
n为2-10,000的整数。
2.权利要求1的聚合物，其中
R1和R2相互独立地为C6-30烷基、C6-30链烯基、C6-30炔基或苯基，
其中C6-30烷基、C6-30链烯基或C6-30炔基各自可以被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO2、-OH、-NH2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-NH-C(O)-(C1-20烷基)、-S(O)2OH、-CHO、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)OH、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-CO(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-O-C1-20烷基和N-O-C(O)-C1-20烷基的取代基取代，以及
苯基可以被1或2个C1-16烷基取代。
3.权利要求1的聚合物，其中
R1和R2相互独立地为C6-30烷基、C6-30链烯基或C6-30炔基，
其中C6-30烷基、C6-30链烯基或C6-30炔基各自可以被1-10个独立地选自卤素、-CN、-NO2、-NH(C1-20烷基)、-N(C1-20烷基)2、-NH-C(O)-(C1-20烷基)、-C(O)-C1-20烷基、-C(O)-OC1-20烷基、-C(O)NH2、-CO(O)NH-C1-20烷基、-C(O)N(C1-20烷基)2、-O-C1-20烷基和N-O-C(O)-C1-20烷基的取代基取代。
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