[发明专利]结晶半导体膜的制造方法有效
| 申请号： | 201380065862.6 | 申请日： | 2013-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN104871291B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 次田纯一;泽井美喜;町田政志;郑石焕 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本制钢所 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 茅翊忞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 照射 脉冲激光 射束 非单晶半导体膜 脉冲能量 结晶半导体膜 结晶粒径 晶体管 沟道 饱和 短轴方向 断面形状 激光退火 脉冲移动 扫描方向 射束形状 平坦部 微结晶 移动量 短轴 交叠 脉冲 制造 扫描 | ||
1.一种结晶半导体膜的制造方法，利用线射束形状的脉冲激光对非单晶半导体膜相对地进行扫描来按每一脉冲进行移动，并且通过照射次数n，从而对所述非单晶半导体膜实施交叠照射，所述线射束的射束短轴宽度为100～500μm，且射束短轴方向的射束断面形状具有平坦部，其特征在于，
所述平坦部的能量强度为最大能量强度的96％以上，在所述交叠照射中，将所述平坦部以照射次数n照射于所述非单晶半导体膜，
将在所述半导体膜上形成的晶体管的沟道长度、即b设为6～40μm，
所述脉冲激光具有照射脉冲能量密度E，该照射脉冲能量密度E比通过该脉冲激光的平坦部的照射而在所述非单晶半导体膜上发生微结晶化的照射脉冲能量密度低，且能通过多次照射使结晶粒径成长达到饱和，
通过所述照射脉冲能量密度E的脉冲激光的照射而使所述结晶粒径成长达到饱和时的照射次数为n0，所述脉冲激光的照射次数n为(n0-1)以上，
所述脉冲激光的扫描方向为所述晶体管的沟道长度方向，并且所述每一脉冲的移动量、即c小于b。
2.如权利要求1所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，
所述脉冲激光照射次数n为(n0－1)以上、3·n0以下。
3.如权利要求1或2所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，
所述移动量小于b/2。
4.如权利要求1或2所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，
所述移动量为5μm以上。
5.如权利要求1或2所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，
所述晶体管的沟道宽度与沟道长度之比(沟道宽度/沟道长度)为1以下。
6.如权利要求1或2所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，
所述非单晶半导体是Si。
7.如权利要求1或2所述的结晶半导体膜的制造方法，其特征在于，
所述脉冲激光是准分子激光。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
