[发明专利]发光物质

权利要求书

1.包含阴离子骨架结构、掺杂剂和阳离子的化合物，其中：

a.阴离子骨架结构的特征是配位四面体GL₄-，其中G表示硅，其可被C、Ge、B、Al或In部分替代，且L表示N和O，条件是N构成L的至少60原子％，

b.阳离子选自碱土金属，条件是锶和钡一起构成阳离子的50原子％或更多，

c.存在的掺杂剂为三价铈或者三价铈和二价铕的混合物，

d.铈掺杂的电荷补偿借助以下方式进行：i)碱土金属阳离子被碱金属阳离子的相应替代和/或ii)氮含量的相应提高和/或iii)碱土金属阳离子的相应降低。

2.根据权利要求1的化合物，其特征在于碱土金属阳离子为锶、镁、钙和/或钡，其中在一个实施方案中，基本仅存在锶和钡，在相同或可选实施方案中，锶构成碱土金属阳离子的多于50原子％，在相同或另一可选实施方案中，钡构成碱土金属阳离子的40原子％至50原子％。

3.根据权利要求1和/或2的化合物，其特征在于G表示多于80原子％硅或者G表示多于90原子％硅。

4.根据前述权利要求中一项或多项的化合物，其特征在于硅已被C或Ge部分地替代。

5.根据权利要求1-3中一项或多项的化合物，其特征在于G由硅形成。

6.根据前述权利要求中一项或多项的化合物，其特征在于它为式Ia化合物：

A_{2-0.5y-x+1.5z}M_0.5xCe_0.5xG₅N_8-y+zO_y   (Ia)，

其中：

A表示一种或多种选自Ca、Sr、Ba、Mg的元素，

M表示一种或多种选自Li、Na、K的元素，

G表示Si，其可被C、Ge、B、Al或In部分替代，

x表示0.005-1的值，且

y表示0.01-3的值，且

z表示0-3的值。

7.根据前述权利要求中一项或多项的化合物，其特征在于它为式Ib化合物：

A_{2-0.5y-0.75x+1.5z}Ce_0.5xG₅N_8-y+zO_y   (Ib)

其中：

A表示一种或多种选自Ca、Sr、Ba、Mg的元素，

M表示一种或多种选自Li、Na、K的元素，

G表示Si，其可被C、Ge、B、Al或In部分替代，

x表示0.005-1的值，且

y表示0.01-3的值，且

z表示0-3的值。

8.根据前述权利要求中一项或多项的化合物，其特征在于无机发光材料为式Ic的化合物：

A_2-0.5y+1.5zCe_0.5xG₅N_8+0.5x-y+zO_y   (Ic)

其中：

A表示一种或多种选自Ca、Sr、Ba、Mg的元素，

M表示一种或多种选自Li、Na、K的元素，

G表示Si，其可被C、Ge、B、Al或In部分替代，

x表示0.005-1的值，且

y表示0.01-3的值，且

z表示0-3的值。

9.根据权利要求6-8中一项或多项的化合物，其特征在于x表示0.01-0.8范围内的值，或者0.02-0.7范围内的值，还或者0.05-0.6范围内的值。

10.根据权利要求6-9中一项或多项的化合物，其特征在于y表示0.1-2.5范围内的值，优选0.2-2范围内的值，尤其优选0.22-1.8范围内的值。

11.根据前述权利要求中一项或多项的化合物，其特征在于铕存在于掺杂剂中且阳离子包含一定含量的钡。

12.根据前述权利要求中一项或多项的化合物，其特征在于该化合物为与含硅和氧的化合物的混合物的形式。