[发明专利]HE-3探测器防护带在审
申请号: | 201380066142.1 | 申请日: | 2013-11-19 |
公开(公告)号: | CN104838290A | 公开(公告)日: | 2015-08-12 |
发明(设计)人: | R.拉里克;M.伯恩斯 | 申请(专利权)人: | 通用电气公司 |
主分类号: | G01T3/00 | 分类号: | G01T3/00;H01J47/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 严志军;肖日松 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | he 探测器 防护 | ||
1. 一种用于探测中子的中子探测器,所述中子探测器包括:
界定和密封内部容积的外壳,所述外壳用作阴极;
在所述外壳内沿纵向延伸的中心结构,所述中心结构用作阳极并且保持在第一电压下;
在所述中心结构与所述外壳之间沿径向延伸的绝缘部分,所述绝缘部分朝所述中心结构的结构端部沿纵向延伸经过所述外壳的壳端部;以及
围绕所述绝缘部分的外绝缘表面沿周向延伸的防护结构,所述防护结构在所述壳端部与所述结构端部之间定位在所述绝缘部分上,其中所述防护结构保持在第二电压下,使得所述绝缘部分的所述外绝缘表面上的泄漏电流由所述防护结构吸收。
2. 根据权利要求1所述的中子探测器,其特征在于,所述中心结构延伸超过所述外壳的所述壳端部,在所述外壳外,使得所述中心结构的所述结构端部与所述壳端部间隔开一距离。
3. 根据权利要求2所述的中子探测器,其特征在于,所述绝缘部分围绕所述中心结构的外表面沿周向延伸,所述绝缘部分从所述外壳的内部容积朝所述中心结构的所述结构端部沿纵向向外延伸。
4. 根据权利要求3所述的中子探测器,其特征在于,所述绝缘部分与所述中心结构电性隔离。
5. 根据权利要求4所述的中子探测器,其特征在于,所述第二电压大致等同于所述第一电压,使得所述绝缘部分和所述中心结构保持在大致等同的电压下。
6. 根据权利要求1所述的中子探测器,其特征在于,所述防护结构包括传导材料。
7. 根据权利要求6所述的中子探测器,其特征在于,所述防护结构与所述绝缘部分的所述外绝缘表面接触。
8. 根据权利要求7所述的中子探测器,其特征在于,所述防护结构定位成相比于所述外壳的所述壳端部更紧邻所述中心结构的所述结构端部。
9. 根据权利要求8所述的中子探测器,其特征在于,所述防护结构包括圆形截面形状。
10. 一种用于探测中子的中子探测器,所述中子探测器包括:
界定和密封内部容积的外壳,所述外壳用作阴极;
在所述外壳内沿纵向延伸的中心结构,所述中心结构用作阳极并且保持在第一电压下;
在所述中心结构与所述外壳之间沿径向延伸的绝缘部分,所述绝缘部分朝所述中心结构的结构端部沿纵向延伸经过所述外壳的壳端部;以及
围绕所述绝缘部分的外绝缘表面沿周向延伸的防护结构,所述防护结构在所述壳端部与所述结构端部之间定位在所述绝缘部分上,所述防护结构保持在与所述中心结构大致等同的电压下,其中所述防护结构与所述中心结构电性隔离,使得所述绝缘部分的所述外绝缘表面上的泄漏电流由所述防护结构吸收。
11. 根据权利要求10所述的中子探测器,其特征在于,所述中心结构延伸超过所述外壳的所述壳端部,在所述外壳外,使得所述中心结构的所述结构端部与所述壳端部间隔开一距离。
12. 根据权利要求11所述的中子探测器,其特征在于,所述绝缘部分围绕所述中心结构的外表面沿周向延伸,所述绝缘部分从所述外壳的内部容积朝所述中心结构的所述结构端部沿纵向向外延伸。
13. 根据权利要求12所述的中子探测器,其特征在于,所述防护结构与所述绝缘部分的所述外绝缘表面接触。
14. 根据权利要求13所述的中子探测器,其特征在于,所述绝缘部分与所述中心结构电性隔离。
15. 根据权利要求10所述的中子探测器,其特征在于,所述防护结构包括传导材料。
16. 一种利用中子探测器探测中子的方法,所述方法包括以下步骤:
提供在外壳内沿纵向延伸的中心结构;
将所述中心结构保持在第一电压下;
在所述中心结构与所述外壳之间沿径向提供绝缘部分,其中所述绝缘部分沿纵向延伸经过所述外壳的壳端部;
提供围绕所述绝缘部分沿周向延伸的防护结构;以及
将所述防护结构保持在第二电压下,使得所述绝缘部分上的泄漏电流由所述防护结构吸收。
17. 根据权利要求16所述的方法,其特征在于,所述第二电压大致等同于所述第一电压。
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