[发明专利]在嵌入式固化区中固化热可固化材料有效
申请号: | 201380066399.7 | 申请日: | 2013-12-17 |
公开(公告)号: | CN104937703B | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 耶罗·范·德·布兰德;阿肖克·斯里德哈;安雅·亨肯斯;贡特尔·德烈森 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用自然科学研究组织TNO;德国汉高公司 |
主分类号: | H01L21/58 | 分类号: | H01L21/58 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 严芬;宋志强 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固化区 嵌入式 热传导 辐射区 可固化材料 基底 固化 电磁辐射 导热 发散 传导 照射 延伸 吸收 | ||
1.一种用于固化热可固化材料(1)的方法,所述方法包括:
提供被部分地布置在阻隔物之间的热传导条(3),在所述阻隔物之间形成具有所述热可固化材料的嵌入式固化区(2),所述热传导条(3)从所述嵌入式固化区(2)延伸至多个可获得辐射区(7),所述多个可获得辐射区(7)与所述嵌入式固化区(2)保持距离且至少部分地无所述阻隔物;
借助电磁辐射(6)在所述可获得辐射区(7)中照射所述热传导条(3);其中掩模被布置在所述电磁辐射的光路径中,以选择性地将所述电磁辐射引导在所述多个可获得辐射区处;其中通过在所述热传导条(3)中吸收所述电磁辐射(6)所产生的热(4a)沿所述热传导条(3)的长度(X)从所述可获得辐射区(7)传导至所述嵌入式固化区(2),以通过从所述热传导条(3)发散至所述嵌入式固化区(2)中的传导热(4b)来固化所述热可固化材料(1)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述热可固化材料(1)包括在基底(10)与所述基底(10)上的部件(9)之间形成的所述嵌入式固化区(2)中的热可固化粘合剂;其中所述热传导条(3)部分地布置在所述部件(9)与所述基底(10)之间,并从所述嵌入式固化区(2)延伸超出所述部件(9)的边界(9b)到达所述可获得辐射区;其中所述方法包括通过固化在所述部件(9)与所述基底(10)之间的所述热可固化粘合剂(1)来将所述部件(9)粘合至所述基底(10)。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述热传导条(3)与所述部件或所述部件的电路电隔离。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述热传导条(3)具有比所述热可固化材料(1)更高的对所述电磁辐射(6)的吸收系数。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述热可固化材料(1)为电传导的且被布置在电路(11)的路径中。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述可获得辐射区(7)被照射通过围绕所述热传导条(3)的透明结构。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述热传导条(3)包括热传导金属或由热传导金属组成。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述热传导条(3)具有每米每凯尔文大于100瓦特的热传导率。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述热传导条(3)包括印刷的油墨。
10.根据权利要求9所述的方法,其中所述热传导条(3)具有每米每凯尔文大于10瓦特的热传导率。
11.根据权利要求1所述的方法,其中当沿所述热传导条(3)的热传导路径长度(X)测量时,所述嵌入式固化区(2)距离所述可获得辐射区(7)大于1厘米。
12.一种用于使用固化系统的方法,所述系统包括辐射源(5),所述方法包括:
向所述系统提供基底(10),所述基底(10)包括部分地布置在所述基底(10)与所述基底(10)上的部件(9)之间的热传导条(3),在所述部件(9)与所述基底(10)之间形成具有热可固化材料的嵌入式固化区(2),所述热传导条(3)从所述嵌入式固化区(2)延伸至多个可获得辐射区(7),所述多个可获得辐射区(7)与所述嵌入式固化区(2)保持距离且至少部分地无所述部件(9)或所述基底(10);
控制所述系统以借助从所述辐射源(5)发散的电磁辐射(6)在所述可获得辐射区(7)中照射所述热传导条(3);其中掩模被布置在所述电磁辐射的光路径中,以选择性地将所述电磁辐射引导在所述多个可获得辐射区处;其中通过在所述热传导条(3)中吸收所述电磁辐射(6)所产生的热(4a)沿所述热传导条(3)的长度(X)从所述可获得辐射区(7)传导至所述嵌入式固化区(2),以通过从所述热传导条(3)发散至所述嵌入式固化区(2)中的传导热(4b)来固化所述热可固化材料(1)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造