[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

第一发光单元和第二发光单元，配置在基板上，所述第一发光单元和所述第二发光彼此隔开；

第一透明电极层，配置在所述第一发光单元上，所述第一透明电极层电性连接到所述第一发光单元；

电流阻挡层，配置在所述第一发光单元的一部分与所述第一透明电极层之间；

内连线，用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元；以及

绝缘层，配置在所述内连线与所述第一发光单元的侧表面之间，

其中所述电流阻挡层与所述绝缘层互相连接。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述电流阻挡层和所述绝缘层包括分布式布拉格反射器。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中所述电流阻挡层和所述绝缘层在所述第一发光单元与所述内连线之间的整个重叠区域中配置于所述第一发光单元与所述内连线之间。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中所述绝缘层配置在所述内连线与所述第二发光单元的侧表面之间。

5.根据权利要求4所述的发光二极管，还包括：

绝缘保护层，配置在所述第一发光单元和所述第二发光单元上，所述绝缘保护层配置在用以配置所述内连线的区域之外。

6.根据权利要求5所述的发光二极管，其中所述绝缘保护层的侧表面在共平面的表面上接触所述内连线的侧表面。

7.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括：

第一透明导电层，配置在所述绝缘层与所述内连线之间。

8.根据权利要求7所述的发光二极管，其中所述第一透明导电层连接到所述第一透明电极层。

9.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述第一发光单元及所述第二发光单元的每一个包括下半导体层、上半导体层、及配置在所述下半导体层与所述上半导体层之间的主动层，

其中所述第一透明电极层电性连接到所述上半导体层，且

其中所述内连线的第一端接触所述第一透明电极层且所述内连线的第二端接触所述第二发光单元的所述下半导体层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管，其中所述内连线在所述内连线与所述第一透明电极层之间的整个重叠区域上直接连接到所述第一透明电极层。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其中所述电流阻挡层至少配置在所述第一透明电极层与所述内连线之间的直接连接区域下方。

12.根据权利要求9所述的发光二极管，其中所述第一发光单元和所述第二发光单元包括相同的结构。

13.一种发光二极管，包括：

第一发光单元和第二发光单元，配置在基板上，所述第一发光单元与所述第二发光彼此隔开；

第一透明电极层，配置在所述第一发光单元上，所述第一透明电极电性连接到所述第一发光单元；

电流阻挡层，配置在所述第一发光单元的一部分与所述第一透明电极层之间；

内连线，用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元；以及

绝缘层，配置在所述内连线与所述第一发光单元的侧表面之间，

其中所述电流阻挡层和所述绝缘层包括结构及材料皆相同的分布式布拉格反射器。

14.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述内连线在所述内连线与所述第一透明电极层之间的整个重叠区域上直接连接到所述第一透明电极层。

15.根据权利要求13所述的发光二极管，其中所述分布式布拉格反射器在所述内连线的整个区域上配置于所述内连线的下方。

16.根据权利要求13所述的发光二极管，还包括：

第一透明导电层，配置在所述绝缘层与所述内连线之间。

17.根据权利要求16所述的发光二极管，其中所述第一透明导电层连接到所述第一透明电极层。

18.根据权利要求17所述的发光二极管，其中所述透明导电层用以电性连接所述透明电极层与所述第二发光单元。

19.根据权利要求13所述的发光二极管，还包括：

绝缘保护层，配置在用以配置所述内连线的区域之外。

20.一种发光二极管，包括：

第一发光单元和第二发光单元，配置在基板上，所述第一发光单元与所述第二发光彼此隔开；

第一透明电极层，配置在所述第一发光单元上，所述第一透明电极电性连接到所述第一发光单元；

电流阻挡层，配置在所述第一发光单元的一部分与所述第一透明电极层之间；

内连线，用以电性连接所述第一发光单元与所述第二发光单元；以及

绝缘层，配置在所述内连线从所述第一发光单元的侧表面之间，

其中所述第二发光单元具有倾斜侧表面，且所述内连线包括连接到所述第一发光单元的第一连接部及连接到所述第二发光单元的第二连接部，所述第一连接部在所述电流阻挡层的上方区域内接触所述第一透明电极层，所述第二连接部接触所述第二发光单元的倾斜侧表面。