[发明专利]用于减少含硅材料中二氧化硅消退的方法和系统

权利要求书

1.减少二氧化硅消退的方法，其包含：

将含硅陶瓷暴露于高温燃烧气体环境；和

将所述含硅陶瓷的目标表面与除湿气体混合物接触，从而减少所述目标表面的二氧化硅消退，

其中所述除湿气体混合物包含用有效从压缩空气去除水分的水分去除剂处理过的压缩空气；所述方法还进一步包含：

在接近所述目标表面的位置将硅注入压缩空气中，其中在将所述压缩空气除湿之前、之后或之前和之后两种情况下，将所述硅注入压缩空气。

2.减少二氧化硅消退的方法，其包含：

将含硅陶瓷复合物暴露于高温燃烧气体环境；和

将所述含硅陶瓷复合物的目标表面与除湿气体混合物接触，从而减少所述目标表面的二氧化硅消退，

其中所述除湿气体混合物包含用有效从压缩空气去除水分的水分去除剂处理过的压缩空气；所述方法还进一步包含：

在接近所述目标表面的位置将硅注入压缩空气中，其中在将所述压缩空气除湿之前、之后或之前和之后两种情况下，将所述硅注入压缩空气。

3.权利要求1或2的方法，其中所述除湿气体混合物包含与用所述水分去除剂处理过的压缩空气共混合的燃烧气体。

4.权利要求1或2的方法，其中所述水分去除剂包含对从所述压缩空气去除水分有效的任何无机材料、有机材料或机械装置。

5.权利要求4的方法，其中所述无机材料选自二氧化硅凝胶或无水硫酸钙。

6.权利要求1的方法，其中所述含硅陶瓷选自碳化硅、SiC/SiC复合物、氮化硅、硅-碳化硅、硅化钼和它们的混合物。

7.权利要求6的方法，其中所述含硅陶瓷为SiC/SiC复合物。

8.权利要求1的方法，其中所述含硅陶瓷包含硅作为主要组分。

9.权利要求2的方法，其中所述含硅陶瓷复合物为连续纤维增强的陶瓷复合物。

10.权利要求9的方法，其中所述纤维选自碳、含碳化硅的材料和它们的混合物。

11.权利要求10的方法，其中所述纤维选自碳化硅。

12.权利要求1的方法，其中所述含硅陶瓷为高温涡轮组件。

13.权利要求2的方法，其中所述含硅陶瓷复合物为高温涡轮组件。

14.权利要求1的方法，其中与暴露于没有除湿气体混合物的燃烧气体的含硅陶瓷相比，所述含硅陶瓷的二氧化硅消退以至少1/2的消退速率系数减少。

15.权利要求2的方法，其中与暴露于没有除湿气体混合物的燃烧气体的含硅陶瓷复合物相比，所述含硅陶瓷复合物的二氧化硅消退以至少1/2的消退速率系数减少。

16.权利要求14或15的方法，其中所述二氧化硅消退以1/10、1/20、1/40、1/60、1/80或1/100的消退速率系数减少。

17.权利要求1的方法，其进一步包含：

在所述含硅陶瓷的目标表面上产生所述除湿气体混合物的层流。

18.权利要求2的方法，其进一步包含：

在所述含硅陶瓷复合物的目标表面上产生所述除湿气体混合物的层流。