[发明专利]用于太阳能电池导电触点的晶种层

权利要求书

1.一种太阳能电池，包括：

基板；

发射极区，所述发射极区设置在所述基板上方；以及

导电触点，所述导电触点设置在所述发射极区上，并且包括与 所述发射极区接触的导电层，所述导电层包含铝/硅(Al/Si) 颗粒，所述Al/Si颗粒具有基本上由大于约15％的Si与所 述余量Al组成的组合物。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述Al/Si颗粒具有基本上 由小于约25％的Si与所述余量Al组成的组合物。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述Al/Si颗粒为微晶。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述导电层具有基本上由 约10-30％粘结剂和玻璃料与所述余量所述Al/Si颗粒组成的组合 物。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其中所述粘结剂包含氧化锌 (ZnO)、氧化锡(SnO)或两者，并且所述玻璃料包含玻璃颗粒。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述导电层具有大于约100 微米的厚度，并且其中所述导电触点是基本上由所述导电层组成的 所述太阳能电池的背部触点。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述导电层具有约2-10微 米的厚度，并且其中所述导电触点是所述太阳能电池的背部触点， 所述导电触点包括所述导电层、设置在所述导电层上的无电镀镍(Ni) 层和设置在所述Ni层上的电镀铜(Cu)层。

8.根据权利要求3所述的太阳能电池，其中所述Al/Si颗粒的结晶度由 在大约550-580℃范围内的温度下执行的退火实现。

9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中所述发射极区包括设置于 所述基板上所设置的隧道介质层上的多晶硅区域，并且所述导电层 设置于所述发射极区上方设置的绝缘体层的沟槽中并且与所述多晶 硅区域接触，并且其中所述多晶硅区域的所述导电层与所述多晶硅 区域接触的位置几乎没有凹点。

10.一种太阳能电池，包括：

基板，所述基板在所述基板的表面处或其附近具有扩散区域；

以及

导电触点，所述导电触点设置在所述扩散区域上方，并且包括 与所述基板接触的导电层，所述导电层包含铝/硅(Al/Si)颗 粒，所述Al/Si颗粒具有基本上由大于约15％的Si与所述 余量Al组成的组合物。

11.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述Al/Si颗粒具有基本 上由小于约25％的Si与余量Al组成的组合物。

12.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述Al/Si颗粒为微晶。

13.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述导电层具有基本上由 约10-30％粘结剂和玻璃料与所述余量所述Al/Si颗粒组成的组合 物。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，其中所述粘结剂包含氧化锌 (ZnO)、氧化锡(SnO)或两者，并且所述玻璃料包含玻璃颗粒。

15.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述导电层具有大于约 100微米的厚度，并且其中所述导电触点是基本上由所述导电层组成 的所述太阳能电池的背部触点。

16.根据权利要求10所述的太阳能电池，其中所述导电层具有约2-10微 米的厚度，并且其中所述导电触点是所述太阳能电池的背部触点， 所述导电触点包括所述导电层、设置在所述导电层上的无电镀镍(Ni) 层和设置在所述Ni层上的电镀铜(Cu)层。

17.根据权利要求12所述的太阳能电池，其中所述Al/Si颗粒的结晶度 由在大约550-580℃范围内的温度下执行的退火实现。