[发明专利]双向形状记忆聚合物,其生产方法和应用在审
申请号: | 201380067418.8 | 申请日: | 2013-12-20 |
公开(公告)号: | CN104884509A | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 马克·贝尔;卡尔·克拉茨;乌尔里希·诺切尔;蒂尔曼·萨德;约尔格·措茨曼;斯里尼瓦桑·雷迪·恰加纳提;安德鲁·蓝德莱 | 申请(专利权)人: | 亥姆霍兹中心盖斯特哈赫特材料及海岸研究中心有限公司 |
主分类号: | C08J3/24 | 分类号: | C08J3/24;B29C61/00 |
代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦 |
地址: | 德国盖斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双向 形状 记忆 聚合物 生产 方法 应用 | ||
1.一种由双向形状记忆聚合物(bSMP)组成或者包含双向形状记忆聚合物(bSMP)的产品,所述的bSMP包括:
-具有一第一转变温度(Tt,AD)的第一相分离区域(AD),该第一转变温度(Tt,AD)对应于所述第一区域(AD)中的结晶化转变或玻璃化转变;
-具有一第二转变温度(Tt,SD)的第二相分离区域(SD),该第二转变温度(Tt,SD)对应于所述第二区域(SD)中的结晶化转变或玻璃化转变,所述的第二转变温度(Tt,SD)高于所述的第一转变温度(Tt,AD),以及
-交联所述bSMP的聚合物链的共价键或物理键,所述的第一和第二区域(AD,SD)以这种方式相互连接;
其中,所述第二相分离区域(SD)形成一个至少有一部分嵌入到所述第一相分离区域(AD)的骨架,其中,形成所述第一区域(AD)的所述bSMP的聚合物链段实质上是沿同一个方向取向,这样所述bSMP就能在一第一和一第二温度(Thigh,Tlow)间的温度变化范围内,在所述第一温度(Thigh)下的一第一形状(A)和所述第二温度(Tlow)下的一第二形状(B)之间进行可逆的形变,所述可逆形变是在无外部应力施加下由所述第一相分离区域(AD)中的结晶和熔融或者玻璃化和熔融驱动,并且Tlow<Tt,AD<Thigh<Tt,SD。
2.如权利要求1所述的产品,其特征在于,所述的bSMP进一步包括:
-具有一第三转变温度(Tt,ED)的第三相分离区域(ED),该第三转变温度(Tt,ED)对应于所述第三区域(ED)中的玻璃化转变,所述的第三转变温度(Tt,ED)低于所述的第一转变温度(Tt,AD),且Tt,ED<Tlow<Tt,AD,其中所述的第三相分离区域(ED)与所述的第一相分离区域(AD)一同,使所述的第二相分离区域(SD)嵌入其中。
3.如前述权利要求中任一项所述的产品,其特征在于,在低于所述第二相分离区域(SD)的转变温度(Tt,SD)的一温度下,所述产品具有的总体几何形状决定了所述第一和第二形状(A,B)并且被所述第二相分离区域(SD)固定下来。
4.如权利要求1至3中任一项所述的产品,其特征在于,所述的第一相分离区域(AD)由化学上不同于所述第二相分离区域(SD)的聚合物链段形成。
5.如权利要求1至3中任一项所述的产品,其特征在于,所述的第一相分离区域(AD)由化学上与所述第二相分离区域(SD)相同的聚合物链段形成。
6.如权利要求5所述的产品,其特征在于,所述的总体几何形状是在施加外部应力下,于高于所述第二区域(SD)的转变温度(Tt,SD)的一温度(Treset)下,由所述bSMP变形得到,这样,聚合物就处于一个橡胶高弹态,然后在保持外部应力的条件下将变形的bSMP降温到所述第二区域(SD)的转变温度(Tt,SD)以下或者所述第一区域(AD)的转变温度(Tt,AD)以下。
7.如前述权利要求中任一项所述的产品,其特征在于,形成所述第二区域(SD)的所述bSMP的聚合物链段实质上是沿同一个方向取向。
8.如权利要求1至7中任一项所述的产品,其特征在于,所述bSMP为单一聚合物,并且组成所述第一区域(AD)、所述第二区域(SD)和,如果适用的话,所述第三区域(ED)的链段位于相同的聚合物链上。
9.如权利要求1至7中任一项所述的产品,其特征在于,所述bSMP为混合物或者为相互贯穿的聚合物网络,并且组成所述第一区域(AD)、所述第二区域(SD)和,如果适用的话,所述第三区域(ED)的链段位于不同的聚合物链上。
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