[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

晶体管，该晶体管包括：

第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及

与所述氧化物半导体膜相邻的栅电极；

电容器，该电容器包括：

在所述第一绝缘膜上的第一透光导电膜；

在所述第一透光导电膜上的氮化绝缘膜；以及

在所述氮化绝缘膜上的第二透光导电膜；以及

在所述氧化物半导体膜、所述栅电极以及所述第一透光导电膜上的氧化绝缘膜，

其中，所述第二透光导电膜电连接到所述氧化物半导体膜，并且

其中，所述氮化绝缘膜位于所述氧化绝缘膜上并与所述第一透光导电膜接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包含In-Ga-Zn氧化物。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一透光导电膜包含In-Ga-Zn氧化物。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜和所述第一透光导电膜中的每一个与所述第一绝缘膜的顶面接触。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第二透光导电膜通过所述氧化绝缘膜的开口及所述氮化绝缘膜的开口而电连接到所述氧化物半导体膜，并且

其中所述氧化绝缘膜的开口的宽度大于所述氮化绝缘膜的开口的宽度。

6.一种半导体装置，包括：

晶体管，该晶体管包括：

栅电极；

在所述栅电极上的绝缘膜；在所述绝缘膜上的氧化物半导体膜；以及

与所述氧化物半导体膜接触的一对电极；

电容器，该电容器包括：

在所述绝缘膜上的第一透光导电膜；

在所述第一透光导电膜上的介电膜；以及

在所述介电膜上的第二透光导电膜；

在所述晶体管的一对电极上的氧化绝缘膜；以及

在所述氧化绝缘膜上的氮化绝缘膜，

其中，包括在所述电容器中的所述介电膜是所述氮化绝缘膜，

其中，所述氧化绝缘膜具有在所述一对电极之一及所述第一透光导电膜中的每一个之上的第一开口，

其中，所述氮化绝缘膜具有在所述一对电极之一上的第二开口，

其中，在所述一对电极之一上与所述第一开口相比所述第二开口是在内侧，并且

其中，在所述一对电极之一上的所述第二开口中，包括在所述电容器中的所述第二透光导电膜与包括在所述晶体管中的所述一对电极之一连接。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，

其中所述氧化物半导体膜和所述第一透光导电膜分别包括微晶区域，并且

其中在所述微晶区域中，在利用测量区域为10nmφ以下的电子衍射的电子衍射图案中观察到配置为圆周状的斑点，且在利用测量区域为300nmφ以上的电子衍射的电子衍射图案中观察不到配置为圆周状的斑点。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜和所述第一透光导电膜都包含铟或锌。

9.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括：

在绝缘表面上的第一导电膜；

在所述绝缘膜上的第二导电膜；以及

在所述氮化绝缘膜上的使所述第一导电膜和所述第二导电膜连接的第三透光导电膜，

其中所述栅电极设置在所述绝缘表面上，

所述氧化绝缘膜包括在所述第一导电膜上的第三开口，

所述氮化绝缘膜包括在所述第一导电膜上的第四开口，

与所述第三开口相比所述第四开口是在内侧，并且

所述第一导电膜在所述第四开口中与所述第三透光导电膜连接。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，

其中通过与所述栅电极相同的处理来形成所述第一导电膜，

其中通过与所述一对电极相同的处理来形成所述第二导电膜，并且

其中通过与所述第二透光导电膜相同的处理来形成所述第三透光导电膜。

11.根据权利要求6所述的半导体装置，还包括形成在与形成有所述栅电极的表面相同的表面上的电容线，

其中所述第一透光导电膜与所述电容线接触。