[发明专利]用于金属表面的保护涂层无效

专利信息
申请号: 201380068112.4 申请日: 2013-10-25
公开(公告)号: CN105102114A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 艾萨克·雅各布斯·里斯厄;弗朗西斯·阿诺尔德斯·玛丽亚·延宁克 申请(专利权)人: 法国德西尼布
主分类号: B01J19/02 分类号: B01J19/02;B01J19/24;C10G9/00;C10G9/20;C23C30/00;C10K1/04
代理公司: 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 代理人: 吴大建;刘华联
地址: 法国库*** 国省代码: 法国;FR
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摘要:
搜索关键词: 用于 金属表面 保护 涂层
【权利要求书】:

1.一种用于加热或冷却含有至少0.5体积%的一氧化碳含量的含碳还原气体的方法,其中,所述气体被加热到至少400℃的温度,或其中所述气体被从超过400℃的温度冷却,其中所述气体沿着包含导热金属或金属合金体以及保护层的加热或冷却单元的表面通过,所述保护层提供所述表面,并且所述保护层由包括胶质无定形硅酸盐、晶态氧化物粒子、任选地辐射剂以及任选地稳定剂/粘结剂的涂层组合物制备而成。

2.根据权利要求1所述的方法,其中所述还原气体具有至少1体积%的一氧化碳含量。

3.根据权利要求1或2所述的方法,其中所述还原气体具有至少2体积%,优选至少5体积%的一氧化碳含量。

4.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述还原气体包括氢气(H2)和一氧化碳(CO)作为主要组分。

5.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述还原气体包括20-80体积%的H2和5-50体积%的CO。

6.根据权利要求5所述的方法,其中所述还原气体进一步包括1-15体积%的CO2、1-40体积%的CH4和/或1-75体积%的H2O。

7.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述还原气体是合成气。

8.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述加热或冷却方法用于选自由煤液化、煤气化、合成气生产(例如蒸汽重组)和合成气处理(例如氨生产、直接还原和费托工艺)组成的群组中的工艺中。

9.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述还原气体中的一氧化碳和氢气反应形成烃类。

10.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述加热或冷却单元是管道,所述气体穿过所述管道,并且保护层被提供在管道的内表面上。

11.根据前述任意一项权利要求所述的方法,所述方法用于加热气体,其中所述气体被加热到400-900℃的温度,优选500-800℃。

12.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述气体包括选自由一氧化碳、烷类和二氧化碳组成的群组中的碳化合物。

13.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述气体基本上不含分子氧。

14.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中金属或含有金属的合金为镍合金,特别是镍-钢合金。

15.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述无定形胶质硅酸盐包括无定形胶质碱金属硅酸盐或碱金属硅酸盐。

16.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述无定形胶质硅酸盐进一步包括胶质二氧化硅。

17.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述涂层组合物包括基于组合物的干重的:

5-35重量%的胶质无定形硅酸盐,

23-79重量%的晶态氧化物粒子,

0-20重量%的辐射剂,

0-5重量%的稳定基/粘结剂。

18.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述胶质无定形硅酸盐选自硅酸钠、硅酸钾、硅酸钙和硅酸镁组成的群组中,并优选硅酸钠。

19.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述晶态氧化物粒子选自二氧化硅、氧化铝、二氧化钛、氧化镁、氧化钙、氧化硼、氧化锂和氧化锆,并优选氧化铝。

20.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中所述涂层包括胶质无定形硅酸钠粒子、胶质二氧化硅和晶态氧化铝。

21.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中存在的辐射剂选自六硼化硅、碳化硼、四硼化硅、碳化硅、二硅化钼、二硅化钨、二硼化锆、亚铬酸铜和金属氧化物。

22.根据前述任意一项权利要求所述的方法,其中存在的稳定剂选自膨润土、高岭土、镁硅铝粘土、板状氧化铝和稳定化的氧化锆,优选膨润土。

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