[发明专利]使用高温计对锥形灯头内的灯进行的多区域控制有效
申请号: | 201380068121.3 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN104871299B | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·M·拉内什;保罗·布里尔哈特;乔斯·安东尼奥·马林;萨瑟施·库珀奥;巴拉苏布拉马尼恩·拉马钱德雷;斯瓦米纳坦·T·斯里尼瓦桑;穆罕默德·图格鲁利·萨米尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 高温 锥形 灯头 进行 区域 控制 | ||
1.一种基板处理设备,包括:
真空腔室,所述真空腔室包含透明拱形结构与透明底板;
盘状基板支撑件,所述基板支撑件设置在所述真空腔室内;
多个热灯,所述多个热灯布置在灯头中并定位成靠近所述真空腔室的所述透明底板,其中所述灯头具有在所述灯之间的冷却通道;
多个热传感器,所述多个热传感器设置在所述灯头的所述冷却通道中并被定向以接收来自靠近所述基板支撑件的区域的热辐射;
多个电源,所述多个电源耦接至与所述热传感器的位置相关的所述热灯;及
控制器,所述控制器根据来自所述热传感器的输入来调整所述电源。
2.如权利要求1所述的基板处理设备,其中所述热传感器接收穿过所述透明底板的热辐射。
3.如权利要求2所述的基板处理设备,其中所述基板支撑件具有低热质量,且所述热传感器接收由所述基板发射且由所述基板支撑件传输的热辐射。
4.如权利要求3所述的基板处理设备,进一步包括反射体,所述反射体被设置成靠近所述透明拱形结构,所述反射体与所述透明拱形结构共同界定热控制空间。
5.如权利要求4所述的基板处理设备,进一步包括用于热控制流体的入口以及用于所述热控制流体的出口,所述入口设置穿过所述反射体而与所述热控制空间流体连通,所述出口设置穿过所述反射体而与所述热控制空间流体连通。
6.如权利要求5所述的基板处理设备,其中所述透明拱形结构与所述透明底板都是石英。
7.如权利要求6所述的基板处理设备,进一步包括热传感器,所述热传感器设置成靠近所述透明拱形结构。
8.如权利要求7所述的基板处理设备,其中所述热传感器设置在所述反射体中。
9.如权利要求8所述的基板处理设备,其中设置在所述灯头内的每个热传感器观测所述基板的一区域。
10.如权利要求9所述的基板处理设备,其中设置在所述灯头内的所述热传感器被定位在所述灯之间。
11.一种处理基板的方法,包括以下步骤:
将所述基板设置在具有透明底板的腔室中;
通过使来自多个灯的辐射透射穿过所述透明底板来加热所述基板,其中所述多个灯布置在灯头中并定位成靠近所述腔室的所述透明底板,并且其中所述灯头具有在所述灯之间的冷却通道;
通过使前驱物气体实质上平行于所述基板的表面而流过所述基板来沉积层于所述基板上;
使用设置在所述灯头的所述冷却通道中且靠近所述透明底板的第一传感器来检测所述基板的第一区域处的第一温度;
使用设置在所述灯头的所述冷却通道中且靠近所述透明底板的第二传感器来检测所述基板的第二区域处的第二温度;
依据所述第一温度调整至所述多个灯的第一部分的功率;及
依据所述第二温度调整至所述多个灯的第二部分的功率。
12.如权利要求11所述的方法,进一步包括以下步骤:
从所述腔室移除所述基板;
使清洁气体流进所述腔室,所述清洁气体包含氯、溴或碘;
从所述腔室移除所述清洁气体;及
将第二基板设置在所述腔室中以用于处理。
13.如权利要求12所述的方法,其中当使所述清洁气体流进所述腔室时,维持或升高所述腔室的温度。
14.如权利要求13所述的方法,其中所述第一区域被定位成与所述基板的中心相距第一径向距离,所述第二区域被定位成与所述基板的所述中心相距第二径向距离,且所述第一径向距离与所述第二径向距离不同。
15.如权利要求14所述的方法,进一步包括维持横跨所述基板的温度梯度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造