[发明专利]具有氮氧化硅电介质层的太阳能电池

权利要求书

1.一种太阳能电池的发射极区，所述发射极区包括：

基板部分，其具有与正表面相对的背表面；

氮氧化硅(SiO_xN_y，0<x,y)电介质层，所述电介质层设置在所述基板部分的背表面上，其中所述氮氧化硅电介质层具有不均匀分布的氮；以及

半导体层，所述半导体层设置在所述氮氧化硅电介质层上。

2.根据权利要求1所述的发射极区，其中所述正表面是所述太阳能电池的光接收表面。

3.根据权利要求1所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层具有仅一个氮浓度极大值区，所述极大值区位于所述氮氧化硅电介质层的靠近所述基板部分的背表面的表面处。

4.根据权利要求1所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层具有仅一个氮浓度极大值区，所述极大值区位于所述氮氧化硅电介质层的远离所述基板部分的背表面的表面处。

5.根据权利要求1所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层具有两个氮浓度极大值区，一个极大值区位于所述氮氧化硅电介质层的远离所述基板部分的背表面的表面处，并且另一个极大值区位于所述氮氧化硅电介质层的靠近所述基板部分的背表面的表面处。

6.根据权利要求5所述的发射极区，其中所述极大值区之间的距离大约在5埃至6埃的范围内。

7.根据权利要求1所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层具有大约在10埃至20埃范围内的厚度。

8.根据权利要求7所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层具有第一富氮区、贫氮区和第二富氮区，其中所述第一富氮区具有大约在4埃至5埃范围内的厚度，所述贫氮区设置在所述第一富氮区上方并且具有大约在5埃至6埃范围内的厚度，所述第二富氮区设置在所述贫氮区上方并且具有大约在4埃至5埃范围内的厚度。

9.根据权利要求1所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层具有组合物，其中x>y。

10.根据权利要求1所述的发射极区，其中设置在所述氮氧化硅电介质层上的所述半导体层为硼掺杂硅层。

11.根据权利要求10所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层包含硼原子。

12.根据权利要求1所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层用于抑制掺杂剂从所述半导体层渗透到所述基板部分。

13.根据权利要求1所述的发射极区，其中所述氮氧化硅电介质层是用于所述发射极区的氮氧化硅隧道电介质层。

14.根据权利要求1所述的发射极区，还包括：

金属触点，所述金属触点设置在所述半导体层上。

15.一种太阳能电池，包括：

第一发射极区，所述第一发射极区包括：

基板的第一部分，所述基板的第一部分具有与光接收表面相对的背表面；

氮氧化硅(SiO_xN_y，0<x,y)电介质层，所述氮氧化硅电介质层设置在所述基板的第一部分的背表面上，其中所述氮氧化硅电介质层具有不均匀分布的氮；以及

P型半导体层，所述P型半导体层设置在所述氮氧化硅电介质层上；以及

第二发射极区，所述第二发射极区包括：

所述基板的第二部分；

氮氧化硅电介质层，所述氮氧化硅电介质层设置在所述基板的第二部分的背表面上；以及

N型半导体层，所述N型半导体层设置在所述氮氧化硅电介质层上。

16.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中所述氮氧化硅电介质层用于抑制掺杂剂从所述P型半导体层渗透到所述基板的第一部分，并且其中所述氮氧化硅电介质层是用于所述第一发射极区和第二发射极区的氮氧化硅隧道电介质层。

17.根据权利要求15所述的太阳能电池，其中所述第一发射极区和第二发射极区被沟槽分离，所述沟槽形成在所述基板中、介于所述基板的第一部分与第二部分之间。