[发明专利]等离子体装置和基板处理装置

权利要求书

1.一种等离子体产生装置，其包括：

外围介电管，所述外围介电管围绕着距腔室的顶面的中心具有恒定半径的圆周以固定的间隔布置；

外围天线，所述外围天线被布置为围绕所述外围介电管；

上部磁体，所述上部磁体与所述外围介电管垂直地间隔开并且所述上部磁体被布置在同一第一平面上；和

下部磁体，所述下部磁体分别配置在位于所述上部磁体与所述外围介电管之间的同一第二平面上，其中，

所述上部磁体的中心轴与所述下部磁体的中心轴彼此一致，并且

等离子体产生于所述外围介电管的内部。

2.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，

所述上部磁体是环形的永磁体，且

所述上部磁体的磁化方向是上述环形的中心轴方向。

3.如权利要求2所述的等离子体产生装置，其中，

所述下部磁体是环形的永磁体，

所述下部磁体的磁化方向是上述环形的中心轴方向，

所述上部磁体的磁化方向与所述下部磁体的磁化方向相同，且

各个所述上部磁体的外直径等于或大于各个所述下部磁体的外直径。

4.如权利要求1所述的等离子体产生装置，还包括：

第一RF电源，所述第一RF电源被构造用来将电力供给至所述外围天线；和

配电单元，所述配电单元被构造用来将所述电力分配至所述外围天线。

5.如权利要求4所述的等离子体产生装置，其中，

所述配电单元包括：

同轴电缆型输入支路，所述输入支路用来接收来自所述第一RF电源的电力；

三向支路，所述三向支路连接至所述输入支路并且分成三个部分；

同轴电缆型T支路，所述T支路连接至所述三向支路并且分成两个部分；和

地线，所述地线将所述T支路的外层覆盖体连接至所述外围天线，其中，

所述T支路的内导体分别连接至各个所述外围天线的一端，且

所述T支路的所述外层覆盖体分别连接至各个所述外围天线的另一端。

6.如权利要求1所述的等离子体产生装置，还包括：

中心介电管，所述中心介电管布置于所述腔室的顶面的中心；和

中心天线，所述中心天线布置为围绕所述中心介电管。

7.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，

所述外围介电管内部的磁场的方向与所述中心介电管内部的磁场的方向彼此相反。

8.如权利要求1所述的等离子体产生装置，其中，

所述腔室包括：

金属材料的下部腔室；

非金属材料的上部腔室，所述上部腔室与所述下部腔室连续地连接；和

金属材料的顶板，所述顶板用来覆盖所述上部腔室的顶面，且

所述腔室还包括侧方线圈，所述侧方线圈围绕所述上部腔室的侧表面并且在所述腔室的内部产生电感耦合等离子体。