[发明专利]用于对无低温超导磁体的失超保护的系统和方法在审

专利信息
申请号: 201380068543.0 申请日: 2013-12-18
公开(公告)号: CN104884969A 公开(公告)日: 2015-09-02
发明(设计)人: A·艾哈迈托夫 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G01R33/38 分类号: G01R33/38;G01R33/3815;H01F6/02
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 李光颖;王英
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 用于 低温 超导 磁体 保护 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种系统,包括:

第一密封外壳,其具有第一压力并容纳预定气体;

第二密封外壳,其具有第二压力,所述第一压力高于所述第二压力;

磁体,其被设置在所述第二外壳内;

感测设备,其监测所述磁体的各部分的电压;

处理器,其被配置为根据所述电压来确定失超事件;以及

阀,其能将所述第一外壳和所述第二外壳密封连接,所述阀能在第一位置与第二位置之间切换,

其中,当所述阀在所述第一位置中时,所述第一外壳和所述第二外壳彼此密封,以分别保持所述第一压力和所述第二压力;

其中,当所述阀在所述第二位置中时,所述第一外壳和所述第二外壳能密封地连接到彼此,以允许所述气体从所述第一外壳流到所述第二外壳,

其中,当检测到所述失超事件时,所述阀从所述第一位置切换到所述第二位置,以使得所述气体从所述第一外壳流到所述第二外壳中,直到达到所述第二外壳内的第三压力,所述第三压力根据所述第一压力、所述第二压力、所述第一外壳和所述第二外壳的参数、以及所述失超事件的参数而被确定。

2.根据权利要求1所述的系统,其中,当所述磁体的所述各部分的电压比率超过预定阈值时,所述阀从所述第一位置切换到所述第二位置。

3.根据权利要求1所述的系统,其中,对所述阀的所述切换补充对额外的磁体保护系统的接合。

4.根据权利要求1所述的系统,其中,所述磁体为超导磁体,所述超导磁体是磁共振成像(MRI)磁体和核磁共振(NMR)磁体中的一个。

5.根据权利要求4所述的系统,其中,所述第一密封外壳被能移除地附接到所述第二密封外壳。

6.根据权利要求4所述的系统,其中,所述超导磁体在无低温环境中操作,并且所述预定气体为氦气。

7.根据权利要求1所述的系统,其中,当所述磁体被重置以用于后续的斜升时,所述阀从所述第二位置切换到所述第一位置。

8.根据权利要求1所述的系统,其中,当所述阀在所述第二位置中时,预定体积的气体被允许进入所述第一密封外壳。

9.根据权利要求1所述的系统,其中,所述第二压力对应于真空压力。

10.根据权利要求1所述的系统,其中,在所述第三压力上,击穿电压大于最大失超电压。

11.根据权利要求1所述的系统,其中,所述阀是一次性的,并且所述气体流动是由泵辅助的。

12.一种方法,包括:

使用感测设备来监测系统的磁体的各部分的电压;所述系统还包括第一密封外壳、第二密封外壳以及阀,所述第一外壳容纳预定气体并具有第一压力,所述第二密封外壳容纳所述磁体并具有第二压力,所述第一压力高于所述第二压力,所述阀能将所述第一外壳和所述第二外壳密封连接并且能在第一位置与第二位置之间切换;

由处理器根据所述电压来确定失超事件;并且,

在检测到所述失超事件之后从所述第一位置切换到所述第二位置,以使得所述气体从所述第一外壳流到所述第二外壳中,直到达到所述第二外壳内的第三压力,所述第三压力根据所述第一压力、所述第二压力、所述第一外壳和所述第二外壳的参数、以及所述失超事件的参数而被确定;

其中,当所述阀在所述第一位置中时,所述第一外壳和所述第二外壳彼此密封,以分别保持所述第一压力和所述第二压力,并且

其中,当所述阀在所述第二位置中时,所述第一外壳和所述第二外壳能密封地连接到彼此,以允许所述气体从所述第一外壳流到所述第二外壳中。

13.根据权利要求12所述的方法,还包括:

当所述磁体被重置以用于后续的斜升时,从所述第二位置切换到所述第一位置。

14.根据权利要求12所述的方法,其中,当所述磁体的所述各部分的电压比率超过预定阈值时,所述阀从所述第一位置切换到所述第二位置。

15.根据权利要求12所述的方法,其中,所述磁体为超导磁体,所述超导磁体是磁共振成像(MRI)磁体和核磁共振(NMR)磁体中的一个。

16.根据权利要求15所述的方法,其中,所述超导磁体在无低温环境中操作。

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