[发明专利]热转印膜及使用其制备的有机电致发光装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种热转印膜及使用其制备的有机电致发光装置。

背景技术

热转印膜可在图案形成后使用作为供体膜(donor film)。所述热转印膜包括光热转换层，其是堆叠在基础膜上。包含有机电致发光材料及其类似物的转印层是堆叠在所述光热转换层上。再者，可在所述光热转换层与转印层间形成中间层。

当所述光热转换层是以在吸收波长范围内的光照射时，所述转印层可通过所述光热转换层转印至像素界定层(PDL，Pixel Define Layer)及其类似物。也就是说，所述光热转换层吸收特定波长的光，及将至少一部分的入射光转换成热。在此，所产生的热热膨胀所述光热转换层，因此允许所述转印层是转印至用于OLED的基材的PDL。但是，依所述光热转换层或中间层的热膨胀而定，所述转印层可无法充分地转印至所述PDL的末端部分，因此造成转印失败。

发明内容

技术问题

本发明的一个态样是提供一种使转印层可均匀地转印的热转印膜。

本发明的另一个态样是提供一种使所述转印层充分地转印于所述PDL的末端部分，藉此导致在整个PDL中均匀热转移的热转印膜。

技术方案

根据本发明的一个态样，热转印膜可包括基础膜；及在所述基础膜上形成的最外层，其中所述最外层具有厚度改变比例约0.5％或更多，如根据方程式1计算：

<方程式1>

厚度改变比例(％)＝(T2-T1)/T1×100

(在方程式1中，T1及T2是与在下列详细说明中所定义的相同)。

根据本发明的另一个态样，使用所述热转印膜作为用于激光转印的供体膜来制备有机电致发光装置。

有益效果

本发明提供一种热转印膜，使转印层可均匀地转印。

本发明提供一种热转印膜，使所述转印层充分地转印于所述PDL的末端部分，藉此导致在整个PDL中均匀热转移。

附图说明

图1是根据本发明的一个具体实例的热转印膜的截面图；

图2是根据本发明的另一个具体实例的热转印膜的截面图。

具体实施方式

现在，将参照附图详细地描述本发明的具体实例。应该要了解的是，本发明不限于下列具体实例及可以不同方式具体化，及提供该等具体实例以提供熟习该项技术者完全了解本发明。为了清楚起见，将省略不相关的构件的描述。遍及本专利说明书，类似构件将由类似的参考数字指示出。

如于本文中所使用，用语诸如“上边”及“下边”是参照附图而定义。因此，将要了解的是，用语“上边”可与用语“下边”互换地使用，用语“下边”可与用语“上边”互换地使用。将要了解的是，当元件诸如层、膜、区域或基材是指为放置“在(on)”另一个元件“上(on)”时，其可直接放置在其它元件上，或也可存在插入层。另一方面，当元件是指为“直接放置在(directlyon)”另一个元件“上”时，其不存在有插入层。用语“(甲基)丙烯酸酯”可指为丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯。

如于本文中所使用，“厚度改变比例”可以下列方法计算。在测量热转印膜样品(尺寸：宽度×长度，1公分×1公分)的最外层的起始厚度(T1)后，当所述热转印膜样品是以5℃/分钟的速率从起始温度25℃加热至最后温度170℃时，测量热转印膜由于温度从25℃增加至170℃的厚度改变，接着测量所述最外层的最大厚度(T2)，因此根据方程式1来计算厚度改变比例。在此，当所述热转印膜包括基础膜及在所述基础膜上形成的光热转换层时，所述最外层是所述光热转换层；及当所述热转印膜包括基础膜、在所述基础膜上形成的光热转换层及在所述光热转换层上形成的中间层时，所述最外层是所述中间层：

<方程式1>

厚度改变比例(％)＝(T2-T1)/T1×100

根据本发明的具体实例，热转印膜包括：基础膜；及在所述基础膜上形成的最外层，其中所述最外层具有厚度改变比例约0.5％或更多，特别是约1.0％至约3.0％，例如约1.0，1.1，1.2，1.3，1.4，1.5，1.6，1.7，1.8，1.9，2.0，2.1，2.2，2.3，2.4，2.5，2.6，2.7，2.8，2.9或3.0％。若所述厚度改变比例是少于0.5％时，所述转印层会不均匀地转印，及所述转印层应所述均匀地转印至其的像素定义层(PDL，Pixel Define Layer)可遭遇到撕裂、缺陷或其类似情况。