[发明专利]基板加工设备

说明书

公开了一种基板加工设备，其能防止等离子体放电被转移到基板上，从而使对基板的损伤最小化，并且也最小化了基板上沉积的薄膜质量的退化，其中，该设备可以包括：加工腔室，用于提供反应空间；以及气体分配模块，用于通过使用等离子体来解离工艺气并将解离的工艺气分配到基板上，其中该气体分配模块可包括具有多个电极插入部的下框架、具有多个突起电极和工艺气分配孔的上框架以及具有多个电极贯穿部的绝缘板。

技术领域

本发明涉及一种基板加工设备，更具体地，涉及一种能促进沉积在基板上的薄膜的沉积均匀性提高的基板加工设备。

背景技术

通常，为了制造太阳能电池、半导体装置和平板显示装置，需要在基板表面形成预定的薄膜层，薄膜电路图案或者光学图案。因此，半导体制造过程可以被执行，比如，在基板上沉积预定材料的薄膜的薄膜沉积过程、通过用光敏材料选择性曝光薄膜的感光过程、通过选择性地去除薄膜曝光部分来形成图案的蚀刻过程。

半导体的制造过程是在设计为宜在最理想情况下使用的基板加工设备里完成的。近来，使用等离子体的基板加工设备被广泛地用于完成沉积或者蚀刻过程。

这种使用等离子体的半导体制造过程可以是用于形成薄膜的PECVD(等离子体增强化学气相沉积)设备，以及用于蚀刻和图案化薄膜的等离子体蚀刻设备。

图1表示根据现有技术的加工基板的设备(基板加工设备)。

参照图1，所述根据现有技术的基板加工设备可包括腔室10、等离子体电极20、承托器30以及气体分配构件40。

所述腔室10提供基板加工的反应空间，在这种情况下，腔室10下表面的预定部分与排气口12连通来从该反应空间排出气体。

等离子体电极20设置在腔室10之上以密封该反应空间。

等离子体电极20的一侧通过电缆与RF(射频)电源24电连接。所述射频电源产生射频电力，并给等离子体电极20提供所产生的射频电力。

等离子体电极20的中央部分与气体供应管26连通来提供用于基板加工的工艺气。

所述承托器30被设置在腔室10内，并支撑从外界载入的多个基板(S)。所述承托器30对应于在等离子体电极20的对面的相对电极，所述承托器30通过用于支撑所述承托器30的支撑轴32来电气接地。在这种情况下，所述支撑轴32被波纹管34围绕来密封所述支撑轴32和腔室10的下表面。

气体分配构件40设置在所述等离子体电极20下方，其中气体分配构件40面对所述承托器30。这种情况下，气体缓冲空间42在气体分配构件40与等离子体电极20之间形成，其中从穿过等离子体电极20的气体供应管26供应的工艺气被提供给气体缓冲空间42。通过将源气与反应气混合来生成工艺气以在基板(S)上形成预定薄膜，并且工艺气被供应给气体缓冲空间42。气体分配构件40通过与气体缓冲空间42连通的多个气体分配孔44将该工艺气均匀地分配到整个反应空间区域。

在根据相关技术的基板加工设备的情况中，在所述基板(S)被装载到承托器30上以后，预定的工艺气被分配到所述腔室10的反应空间，射频电力被提供给等离子体电极20，从而在气体分配构件40与承托器30之间形成等离子体放电(P)，藉此被等离子体放电(P)离子化的工艺气分子被沉积到基板(S)上，来在基板(S)上形成预定薄膜。

但是，在根据相关技术的基板加工设备的情况中，用来分配工艺气的空间与形成等离子体放电(P)的空间相同。因此，等离子体放电(P)在基板(S)上发生，因此基板(S)可能被等离子体放电(P)损坏，从而造成基板(S)上的薄膜的质量的退化。同时，在根据相关技术的基板加工设备的情况下，被等离子体放电(P)离子化的工艺气可以在邻近气体分配孔44处沉积，因而可能形成含粉末成分的非正常薄膜，进一步，非正常薄膜颗粒会落在基板(S)上。

发明内容