[发明专利]第5族金属氧代-烷氧代络合物、其制造方法以及第5族金属氧化物膜的制作方法

权利要求书

1.一种第5族金属氧代-烷氧代络合物，其特征在于，其用通式（1）、化学式（3）、化学式（4）或化学式（5）表示：

M_A（μ₄-O）_B（μ₃-O）_C（μ-O）_D（μ-O^tBu）_E（O^tBu）_F     （1）

式（1）中，M表示铌原子或钽原子；A、B、C、D、E、F分别表示10、1、8、8、0、16或者9、1、5、9、1、14的数值，

2.根据权利要求1所述的第5族金属氧代-烷氧代络合物，其特征在于，第5族金属氧代-烷氧代络合物用通式（1）表示。

3.根据权利要求1或2所述的第5族金属氧代-烷氧代络合物，其特征在于，第5族金属氧代-烷氧代络合物用通式（1A）或通式（1B）表示：

式（1A）中，M表示铌原子或钽原子，

式（1B）中，M表示铌原子或钽原子。

4.根据权利要求1所述的第5族金属氧代-烷氧代络合物，其特征在于，第5族金属氧代-烷氧代络合物用化学式（3）或化学式（4）表示。

5.根据权利要求1所述的第5族金属氧代-烷氧代络合物，其特征在于，第5族金属氧代-烷氧代络合物用化学式（5）表示。

6.权利要求1～3中任一项所述的第5族金属氧代-烷氧代络合物的制造方法，其特征在于，使通式（2）所示的金属酰亚胺-三烷氧代络合物与选自由氧气、空气、臭氧组成的组中的一种以上氧化剂发生反应，

式（2）中，M表示铌原子或钽原子；R¹表示C₄～C₁₂的叔烷基或通式（2Ar）所示的任选被取代的苯基，

式（2Ar）中，R^a、R^b、R^c、R^d和R^e各自独立地表示氢原子或C₁～C₆的烷基。

7.权利要求1～3中任一项所述的第5族金属氧代-烷氧代络合物的制造方法，其特征在于，对化学式（3）所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物进行加热，

8.权利要求1～3中任一项所述的第5族金属氧代-烷氧代络合物的制造方法，其特征在于，对化学式（4）所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物进行加热，

9.权利要求1～3中任一项所述的第5族金属氧代-烷氧代络合物的制造方法，其特征在于，使五（叔丁基氧代）铌（Nb（O^tBu）₅）与双丙酮醇发生反应。

10.权利要求1或4所述的化学式（3）所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物的制造方法，其特征在于，使通式（2a-Nb）所示的金属酰亚胺-三烷氧代络合物与苯甲醛发生反应，

式（2a-Nb）中，R^1a表示C₁～C₁₂的烷基，

11.权利要求1或4所述的化学式（4）所示的第5族金属氧代-烷氧代络合物的制造方法，其特征在于，使通式（2a-Nb）所示的金属酰亚胺-三烷氧代络合物与通式（7）所示的醛发生反应，

式（2a-Nb）中，R^1a表示C₁～C₁₂的烷基，

式（7）中，R²表示苯基或C₄～C₈的叔烷基，