[发明专利]氮化物半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种氮化物半导体发光器件，其特征在于，包括：

n型氮化物层；

活性层，形成于所述n型氮化物层上；

p型氮化物层，形成于所述活性层上；

电流断开图案，形成于所述p型氮化物层上；

透明导电图案，以覆盖所述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成，具有相向的两侧边缘呈对称结构的锥形截面；以及

p-电极极板，配置在与所述电流断开图案相对应的位置，并以直接与所述透明导电图案相接触的方式形成。

2.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，还包括n-电极极板，所述n-电极极板形成于所述n型氮化物层的露出区域。

3.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，所述电流断开图案由选自SiO₂及SiN_x中的一种以上形成。

4.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，所述电流断开图案的厚度为0.01～0.50μm。

5.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，所述透明导电图案由选自氧化铟锡、氧化铟锌及氟掺杂氧化锡中的一种以上的材质形成。

6.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，所述透明导电图案的锥角为10～90°。

7.根据权利要求1所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，所述透明导电图案具有两侧边缘的一部分被除去的底切。

8.根据权利要求7所述的氮化物半导体发光器件，其特征在于，所述透明导电图案的底切的宽度为3μm以下。

9.一种氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，包括：

步骤(a)，在基板上依次形成n型氮化物层、活性层及p型氮化物层之后，在所述p型氮化物层上形成电流断开图案；

步骤(b)，在以覆盖所述p型氮化物层及电流断开图案的上侧的方式形成透明导电层之后，利用台面刻蚀掩模选择性地对所述透明导电层进行第一次图案化，来形成透明导电图案；

步骤(c)，利用所述台面刻蚀掩模进行第二次图案化，并依次除去向所述基板的一侧边缘露出的p型氮化物层、活性层及n型氮化物层，来使所述n型氮化物层的一部分露出；以及

步骤(d)，在与所述电流断开图案相对应的位置形成直接与所述透明导电图案相接触的p-电极极板，在露出的所述n型氮化物层上形成n-电极极板。

10.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤(b)中，通过所述第一次图案化，来使所述透明导电图案具有两侧边缘的一部分被除去的底切。

11.根据权利要求10所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述透明导电图案的底切的宽度为3μm以下。

12.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤(a)中，所述电流断开图案由选自SiO₂及SiN_x中的一种以上形成。

13.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述电流断开图案的厚度为0.01～0.50μm。

14.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述第一次图案化采用利用所述台面刻蚀掩模的湿式刻蚀，所述第二次图案化采用利用与所述第一次图案化相同的所述台面刻蚀掩模的感应耦合等离子体类型的干式刻蚀，来依次实施所述第一次图案化和所述第二次图案化。

15.根据权利要求9所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤(c)与步骤(d)之间，所述透明导电图案具有所述具有相向的两侧边缘呈相互对称结构的锥形截面。

16.根据权利要求15所述的氮化物半导体发光器件的制造方法，其特征在于，所述透明导电图案的锥角为10～90°。