[发明专利]穿过聚合物的通孔和制造这种通孔的方法

权利要求书

1.一种用于制造用于半导体装置和/或晶圆的三维堆叠、封装和/或异构集成的通孔(A)的工艺，所述工艺包括：

(a)在载体层或基底(1)上提供聚合物的微结构(2)；

(b)将所述微结构涂布第一导电材料(4)的层以提供涂布的微结构；

(c)将所述涂布的微结构封装在第二电绝缘材料(5)内以使得所述涂布的微结构形成所述第二电绝缘材料(5)的上表面和下表面之间的互连；

(d)移除所述载体层或基底(1)并且向所述通孔(A)提供背部和顶部的互连(6，7)。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中，所述聚合物是光刻胶。

3.根据权利要求1或2所述的工艺，其中，所述微结构(2)的纵横比大于5。

4.根据权利要求1或2所述的工艺，其中，所述第一导电材料(4)选自包括铜、镍、银和金的组。

5.根据权利要求1或2所述的工艺，其中，所述工艺还包括在步骤

(a)和(b)之间的步骤：通过提供第三导电材料(3)的种子层朝向所述第一导电材料激活所述聚合物的微结构。

6.根据权利要求1或2所述的工艺，其中，所述第二电绝缘材料是聚合物或陶瓷材料。

7.根据权利要求3所述的工艺，其中，所述微结构(2)的纵横比大于10。

8.根据权利要求3所述的工艺，其中，所述微结构(2)的纵横比大于15。

9.根据权利要求6所述的工艺，其中，所述聚合物是环氧树脂模制化合物。

10.一种用于半导体装置和/或晶圆的三维堆叠、封装和/或异构集成的通孔(A)，包括在其表面具有第一导电材料(4)的聚合物的互连元件(I)，所述互连元件(I)被封装在第二电绝缘材料(5)内以使得所述互连元件(I)形成所述第二电绝缘材料(5)的上表面和下表面之间的互连，其特征在于，所述互连元件(I)由微结构(2)组成，其中所述第一导电材料被提供为在所述微结构(2)的表面处的涂层；并且在所述第二电绝缘材料(5)的相反两侧提供有背部和顶部的互连(6，7)。

11.根据权利要求10所述的通孔，其中，所述聚合物是光刻胶。

12.根据权利要求10或11所述的通孔，其中，所述微结构(2)的纵横比大于5。

13.根据权利要求10或11所述的通孔，其中，所述第一导电材料(4)选自包括铜、镍、银和金的组。

14.根据权利要求12所述的通孔，其中，所述微结构(2)的纵横比大于10。

15.根据权利要求12所述的通孔，其中，所述微结构(2)的纵横比大于15。

16.一种具有多个电路层的3D电路，其中，所述电路层通过至少一个根据权利要求10-15中任一项所述的通孔(A)电子地、光学地或流体地连接。

17.一种包括根据权利要求16所述的3D电路的半导体装置。