[发明专利]摄像装置无效
| 申请号： | 201380069761.6 | 申请日： | 2013-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN104904198A | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 梶山康一;水村通伸;金尾正康;石川晋 | 申请（专利权）人： | 株式会社V技术 |
| 主分类号： | H04N9/07 | 分类号： | H04N9/07;H01L27/146;H01L31/10;H04N5/33;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;杨生平 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 摄像 装置 | ||
1.一种摄像装置，其特征在于，
具备将多个光电转换部形成于一个半导体基板的摄像传感器，
所述多个光电转换部中的一组光电转换部中的每一个显示在近红外以上的长波长域具有峰值的分光灵敏度特性。
2.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
所述摄像传感器具备所述多个光电转换部中显示在可见光区域具有峰值的分光灵敏度特性的光电转换部。
3.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
一个所述光电转换部与通过所述摄像传感器拍摄的图像的像素对应，相邻配置的2个所述像素中的其中一方成为所述一组光电转换部。
4.根据权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，
多个所述光电转换部的集合与通过所述摄像传感器拍摄的图像的像素对应，该像素内的一个光电转换部成为所述一组光电转换部。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的摄像装置，其特征在于，
所述一组光电转换部具有显示在近红外区域具有峰值的分光灵敏度特性的光电转换部及显示在中间红外区域具有峰值的分光灵敏度特性的光电转换部。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的摄像装置，其特征在于，
所述半导体基板为掺杂有第1物质的n型Si基板，
所述光电转换部具有将所述半导体基板作为共同半导体层的pn接合部，
所述一组光电转换部具有通过对所述半导体基板以高浓度掺杂第2物质来形成的p型半导体层，在使所述第2物质扩散的退火处理过程中照射有近红外以上的长波长域的光。
7.根据权利要求6所述的摄像装置，其特征在于，
所述第1物质为15族元素，所述第2物质为13族元素。
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