[发明专利]高频放大电路

权利要求书

1.一种高频放大电路，其特征在于，包括：

高频放大元件，该高频放大元件具有输入端和输出端；

偏置电路，该偏置电路与所述高频放大元件连接，向所述高频放大元件的输入侧提供第一偏置电压；以及

偏置调整电路，该偏置电路连接在所述输入端和所述偏置电路之间，基于在所述输入端输入的高频信号调整所述第一偏置电压，

所述偏置调整电路包含集总参数元件和有源元件而构成，

所述偏置调整电路具有信号检测电路和开关电路，

所述信号检测电路具有信号检测元件、整流元件和第一电容，

所述信号检测元件的第一端与所述输入端连接，

所述信号检测元件的第二端与所述整流元件的阴极的连接点连接所述开关电路，

所述整流元件的阳极与所述第一电容的第一端连接，

所述第一电容的第二端与接地连接。

2.如权利要求1所述的高频放大电路，其特征在于，

所述信号检测电路与所述输入端和所述开关电路连接，检测所述高频信号，向所述开关电路输出检测值，

所述开关电路与所述偏置电路连接，所述检测值为阈值以上时，降低所述第一偏置电压。

3.如权利要求2所述的高频放大电路，其特征在于，

所述开关电路具有第一晶体管，

所述第一晶体管的发射极端与地线连接，

所述第一晶体管的基极端与所述信号检测电路连接，

所述第一晶体管的集电极端与所述偏置电路连接。

4.如权利要求3所述的高频放大电路，其特征在于，

所述整流元件为第二晶体管，

所述第二晶体管的发射极端为所述整流元件的阴极，

所述第二晶体管的基极端为所述整流元件的阳极，

第二偏置电压被提供至所述第二晶体管的基极端，

第三偏置电压被提供至所述第二晶体管的集电极端。

5.如权利要求3或4所述的高频放大电路，其特征在于，

所述第一电容为二极管的结电容，

所述第一电容的第一端为所述二极管的阴极，

所述第一电容的第二端为所述二极管的阳极。

6.如权利要求3或4所述的高频放大电路，其特征在于，

所述信号检测元件为电阻。

7.如权利要求3或4所述的高频放大电路，其特征在于，

所述信号检测元件为第二电容。

8.如权利要求3或4所述的高频放大电路，其特征在于，

所述信号检测元件为电感。

9.如权利要求1至4中任一项所述的高频放大电路，其特征在于，

所述高频放大元件、所述偏置电路以及所述偏置调整电路形成在一个IC芯片内。