[发明专利]半导体器件以及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在虚设基板上形成包括再分配层和介电层的插入件；

将半导体管芯连接至所述再分配层，所述半导体管芯面向所述插入件的上部；

通过使用封装体来封装所述半导体管芯；以及

从所述插入件移除所述虚设基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述虚设基板包括以下中的至少一种：硅和/或玻璃。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电层包括以下中的至少一种：氧化硅层、氮化硅层和/或聚合物层。

4.根据权利要求1所述的方法，包括：在所述再分配层上形成面向所述插入件的上部的焊料，并且其中，所述连接半导体管芯包括将所述半导体管芯连接至所述焊料。

5.根据权利要求1所述的方法，包括：在所述连接半导体管芯之后，在所述半导体管芯和所述插入件之间填充底层填料。

6.根据权利要求1所述的方法，包括：在所述封装半导体管芯之后，磨削所述封装体以暴露所述半导体管芯的顶部表面。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述移除虚设基板包括磨削和蚀刻所述虚设基板以暴露所述再分配层的面向所述插入件的下部的一部分。

8.根据权利要求1所述的方法，包括将凸块连接至所述再分配层，所述凸块面向所述插入件的下部，所述连接凸块包括：在所述再分配层上形成面向所述插入件的下部的底层凸块金属；以及将所述凸块连接至所述底层凸块金属。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成插入件包括形成底层凸块金属，在所述底层凸块金属上将形成所述再分配层的至少一部分。

10.根据权利要求8所述的方法，包括将所连接的凸块安装至电路板。

11.根据权利要求10所述的方法，包括在所述插入件和所述电路板之间填充底层填料。

12.根据权利要求10所述的方法，包括将盖附接至所述电路板以覆盖所述半导体管芯。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成插入件包括：

在所述虚设基板上形成晶种层；

在所述晶种层上形成并图案化所述再分配层；

在所述再分配层外部形成所述介电层；以及

移除所述晶种层。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成插入件包括：

在所述虚设基板上形成晶种层；

在所述晶种层上形成底层凸块金属；

在所述底层凸块金属上形成并图案化所述再分配层；

在所述再分配层外部形成所述介电层；以及

移除所述晶种层。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述形成底层凸块金属包括移除形成在所述底层凸块金属外部的所述晶种层。

16.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在虚设基板上形成包括再分配层和介电层的插入件；以及

从所述插入件移除所述虚设基板。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述移除虚设基板包括磨削和蚀刻所述虚设基板以暴露所述再分配层的一部分。

18.根据权利要求16所述的方法，其中，所述形成插入件包括形成底层凸块金属，在所述底层凸块金属上将形成所述再分配层的至少一部分。

19.一种半导体器件，包括：

插入件，包括再分配层和介电层；

半导体管芯，连接到所述再分配层，所述半导体管芯面向所述插入件的上部；

封装体，封装所述半导体管芯；以及

凸块，连接到所述再分配层，所述凸块面向所述插入件的下部。

20.根据权利要求19所述的半导体器件，其中，所述底层凸块金属布置在所述插入件内部。