[发明专利]电子电气设备用铜合金、电子电气设备用铜合金薄板、电子电气设备用导电元件及端子在审
申请号: | 201380070643.7 | 申请日: | 2013-06-28 |
公开(公告)号: | CN104919067A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 牧一诚;森广行;山下大树 | 申请(专利权)人: | 三菱综合材料株式会社;三菱伸铜株式会社 |
主分类号: | C22C9/04 | 分类号: | C22C9/04;B21B3/00;H01B1/02;H01B5/02;C22F1/00;C22F1/08 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 电气 备用 铜合金 薄板 导电 元件 端子 | ||
1.一种电子电气设备用铜合金,其中,
所述电气电子设备用铜合金含有23质量%以上且36.5质量%以下的Zn、0.1质量%以上且0.9质量%以下的Sn、0.15质量%以上且小于1.0质量%的Ni、0.001质量%以上且小于0.10质量%的Fe、0.005质量%以上且0.1质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,
Fe的含量与Ni的含量之比Fe/Ni以原子比计,满足0.002≤Fe/Ni<0.7,
且Ni及Fe的合计含量(Ni+Fe)与P的含量之比(Ni+Fe)/P以原子比计,满足3<(Ni+Fe)/P<15,
而且,Sn的含量与Ni及Fe的合计量(Ni+Fe)之比Sn/(Ni+Fe)以原子比计,满足0.3<Sn/(Ni+Fe)<2.9,
并且,将一表面中的来自{111}面的X射线衍射强度设为I{111}、将来自{200}面的X射线衍射强度设为I{200}、将来自{220}面的X射线衍射强度设为I{220}、将来自{311}面的X射线衍射强度设为I{311}、将来自{220}面的X射线衍射强度的比例R{220}设为R{220}=I{220}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})时,R{220}为0.8以下。
2.一种电子电气设备用铜合金,其中,
所述电气电子设备用铜合金含有23质量%以上且36.5质量%以下的Zn、0.1质量%以上且0.9质量%以下的Sn、0.15质量%以上且小于1.0质量%的Ni、0.001质量%以上且小于0.10质量%的Fe、0.001质量%以上且小于0.1质量%的Co、0.005质量%以上且0.1质量%以下的P,剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成,
Fe及Co的合计含量与Ni的含量之比(Fe+Co)/Ni以原子比计,满足0.002≤(Fe+Co)/Ni<0.7,
且Ni、Fe及Co的合计含量(Ni+Fe+Co)与P的含量之比(Ni+Fe+Co)/P以原子比计,满足3<(Ni+Fe+Co)/P<15,
而且,Sn的含量与Ni、Fe及Co的合计含量(Ni+Fe+Co)之比Sn/(Ni+Fe+Co)以原子比计,满足0.3<Sn/(Ni+Fe+Co)<2.9,
并且,将一表面中的来自{111}面的X射线衍射强度设为I{111}、将来自{200}面的X射线衍射强度设为I{200}、将来自{220}面的X射线衍射强度设为I{220}、将来自{311}面的X射线衍射强度设为I{311}、将来自{220}面的X射线衍射强度的比例R{220}设为R{220}=I{220}/(I{111}+I{200}+I{220}+I{311})时,R{220}为0.8以下。
3.根据权利要求1所述的电子电气设备用铜合金,其中,
所述R{220}为0.3以上且0.8以下。
4.根据权利要求2所述的电子电气设备用铜合金,其中,
所述R{220}为0.3以上且0.8以下。
5.根据权利要求1所述的电子电气设备用铜合金,其中,
所述电子电气设备用铜合金具有0.2%屈服强度为300MPa以上的力学特性。
6.根据权利要求2所述的电子电气设备用铜合金,其中,
所述电子电气设备用铜合金具有0.2%屈服强度为300MPa以上的力学特性。
7.根据权利要求3所述的电子电气设备用铜合金,其中,
所述电子电气设备用铜合金具有0.2%屈服强度为300MPa以上的力学特性。
8.根据权利要求4所述的电子电气设备用铜合金,其中,
所述电子电气设备用铜合金具有0.2%屈服强度为300MPa以上的力学特性。
9.一种电子电气设备用铜合金薄板,其中,
所述电子电气设备用铜合金薄板具有由权利要求1~8的任意一项所述的电子电气设备用铜合金的轧材所构成的薄板主体,所述薄板主体的厚度在0.05mm以上且1.0mm以下的范围内。
10.根据权利要求9所述的电子电气设备用铜合金薄板,其中,
所述电子电气设备用铜合金薄板还具有在所述薄板主体的表面上形成的镀Sn层。
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