[发明专利]使用硅纳米粒子制造太阳能电池的发射极区域

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的发射极区域的方法，所述方法包括：

在设置于所述太阳能电池的基板表面上方的介电层上方形成掺杂硅纳米粒子区域；

在所述掺杂硅纳米粒子区域上形成硅层；以及

将所述硅层的至少一部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的至少一部分混合，以形成设置在所述介电层上的掺杂多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述掺杂硅纳米粒子区域包括印刷或旋涂掺杂硅纳米粒子区域，所述掺杂硅纳米粒子具有在5-100纳米范围内的平均粒度和在10-50％范围内的孔隙率，其中具有至少一些开放孔。

3.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述硅层包括在低压化学气相沉积(LPCVD)室中，以在525–565摄氏度范围内的温度，从硅烷(SiH₄)形成一层未掺杂非晶硅、本征非晶硅或轻掺杂非晶硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述硅层包括在所述掺杂硅纳米粒子区域内形成所述硅层的一部分，并且用所述硅层的一部分闭合所述掺杂硅纳米粒子区域的一个或多个开放孔。

5.根据权利要求4所述的方法，其中用所述硅层的部分闭合所述掺杂硅纳米粒子区域的一个或多个开放孔包括形成具有有角边缘的闭合孔，并且其中将所述硅层的部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的部分混合以形成所述掺杂多晶硅层包括修改具有有角边缘的所述闭合孔以形成倒圆的闭合孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅层的部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的部分混合以形成所述掺杂多晶硅层包括将所述基板加热至在700-1100摄氏度范围内的温度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅层的部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的部分混合以形成所述掺杂多晶硅层包括使所述硅层与所述掺杂硅纳米粒子区域的组合厚度减小在20-50％范围内的量。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂硅纳米粒子区域形成为在0.2-3微米范围内的厚度，并且所述硅层形成为在200-2000埃范围内的绝对厚度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂硅纳米粒子为P型掺杂硅纳米粒子，并且所述掺杂多晶硅层为P型掺杂多晶硅层。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在所述介电层上方形成N型掺杂硅纳米粒子区域，使其相邻于但不接触所述P型掺杂硅纳米粒子区域；

在所述N型掺杂硅纳米粒子区域上形成所述硅层；以及

将所述硅层的至少一部分与所述N型掺杂硅纳米粒子区域的至少一部分混合，以形成设置在所述介电层上的N型掺杂多晶硅层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述掺杂硅纳米粒子为N型掺杂硅纳米粒子，并且所述掺杂多晶硅层为N型掺杂多晶硅层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述介电层形成于所述基板上，并且是用于所述发射极区域的隧道介电层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板的表面是所述基板的背表面，与所述基板的光接收表面相对，所述方法还包括：

在所述掺杂多晶硅层上形成金属触点。

14.一种制造太阳能电池的发射极区域的方法，所述方法包括：

在设置于所述太阳能电池基板的背表面上方的介电层上方形成掺杂硅纳米粒子区域，所述背表面与所述太阳能电池的光接收表面相对；

在所述光接收表面上和在所述基板的背表面上方均形成硅层，其包括所述掺杂硅纳米粒子区域上的部分和所述介电层上的部分；

将所述硅层的形成于所述掺杂硅纳米粒子区域上的部分与所述掺杂硅纳米粒子区域的至少一部分混合，以形成设置于所述介电层上的掺杂多晶硅层；

将所述基板的光接收表面上的硅层、所述硅层在所述介电层上的部分、以及所述掺杂多晶硅层的最外侧区域氧化，以在所述光接收表面上和在所述基板的背表面上方形成氧化硅层；以及

在所述光接收表面上的氧化硅层上和在所述基板的背表面上方的氧化硅层上形成抗反射涂层。