[发明专利]含有限制在孔中的碘或溴的沸石复合材料及其用途

权利要求书

1.一种用于去除放射活性I₂的方法，所述方法包括将放射活性I₂吸附到包含多孔沸石的用于吸附碘的吸附剂的孔隙中而不会将所吸附的I₂转化成I^-的步骤，所述沸石选自由SL-1F、Si-BEA和SL-1组成的组，其中SL-1为硅沸石-1，SL-1F为加入氟离子的硅沸石-1。

2.根据权利要求1所述的用于去除放射活性I₂的方法，还包括：

通过与溶解I₂的有机溶剂接触，通过加热，或通过在加热的空气或氮气中吹扫，从所述沸石解吸吸附的I₂的步骤；和

通过使解吸的I₂与AgNO₃反应形成沉淀的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述有机溶剂为乙醇、二乙醚、AcOH、苯、CHCl₃、二硫化碳、或它们的混合物。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其中所述多孔沸石为粉末、泡沫体、或膜的形式。

5.一种半导体器件，其利用半导体材料的电子性质，所述半导体材料包括含碘的沸石复合材料，

其中所述含碘的沸石复合材料包括多孔沸石和限制在所述沸石的孔中的碘,并且具有小于3.0eV的带隙或沿所述含碘的沸石复合材料的至少一个沸石晶轴的0.1西门子/m或更高的电导率，所述沸石选自由SL-1F、Si-BEA和SL-1组成的组，其中SL-1为硅沸石-1，SL-1F为加入氟离子的硅沸石-1。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中已知含量的碘捕集于其中。