[发明专利]使用具有瞬态吸收性质的透明材料进行的玻璃密封有效
申请号: | 201380071496.5 | 申请日: | 2013-11-26 |
公开(公告)号: | CN105073671B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | S·L·洛谷诺夫;M·A·凯斯达 | 申请(专利权)人: | 康宁股份有限公司 |
主分类号: | C03C3/247 | 分类号: | C03C3/247;C03C4/08;C03C8/24;C03C27/06;H01L51/52 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 乐洪咏;杨昀 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 具有 瞬态 吸收 性质 透明 材料 进行 玻璃 密封 | ||
1.一种保护工件的方法,所述方法包括:
在第一玻璃基材的主表面上形成低Tg玻璃密封层;
在所述第一基材和第二基材之间排列待保护的工件,所述密封层与所述第二基材接触;
使用激光辐射局部加热所述玻璃密封层至足以熔化所述密封层的密封温度;以及
诱导第一基材对激光辐射的瞬时吸收,以熔化第一基材的至少一部分并在第一基材和第二基材之间形成玻璃密封体,
其中,所述第一基材是玻璃基材,它(a)在室温下对所述激光辐射的吸收率小于15%,以及(b)在密封温度下对所述激光辐射的诱导的瞬时吸收率大于15%。
2.如权利要求1所述的方法,其中,平移所述激光辐射以限定密封界面。
3.如权利要求1所述的方法,其中,所述激光辐射包括UV辐射。
4.如权利要求1所述的方法,其中,所述激光辐射的脉冲宽度为1-10纳秒,且所述激光辐射的重复频率为至少1kHz。
5.如权利要求1所述的方法,其中,所述低Tg玻璃包含:
20-100摩尔%SnO;
0-50摩尔%SnF2;以及
0-30摩尔%的P2O5或B2O3。
6.如权利要求1所述的方法,其中,所述低Tg玻璃密封层的厚度范围是100nm至10μm。
7.如权利要求1所述的方法,其中,所述低Tg玻璃在室温下对所述激光辐射的吸收率是至少15%。
8.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一玻璃基材包含显示器玻璃。
9.如权利要求1所述的方法,其中,所述第一和第二基材包含显示器玻璃。
10.如权利要求1所述的方法,其中,所述第二基材是玻璃基材,它(a)在室温下对所述激光辐射的吸收率小于15%,以及(b)在密封温度下对所述激光辐射的吸收率大于15%。
11.如权利要求1所述的方法,其中,通过热传导对所述第一基材和第二基材进行加热。
12.如权利要求1所述的方法,其中,所述工件包含量子点。
13.如权利要求1所述的方法,其中,所述工件包含显示器。
14.一种对装置进行密封的方法,所述方法包括以下步骤:
在第一基材的表面上形成低Tg玻璃密封层,其中所述低Tg玻璃密封层不含填料;
在第一基材和第二基材之间排列待密封的装置,其中所述密封层接触所述第二基材,从而形成所述第一基材、密封层和第二基材之间的界面;
使用激光辐射局部加热所述界面,使所述界面处温度局部升高并熔化所述界面处的所述密封层;
根据界面处温度的局部升高,在所述第一基材和第二基材邻近所述界面的部分中诱导激光辐射的瞬时吸收;
根据诱导的瞬时吸收熔化所述第一基材和第二基材的部分;
通过熔化的所述密封层和熔化的所述第一和第二基材的部分在所述第一和第二基材之间密封所述装置。
15.如权利要求14所述的方法,其中,所述密封层包含:
20-100摩尔%SnO;
0-50摩尔%SnF2;以及
0-30摩尔%的P2O5或B2O3。
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