[发明专利]用于形成阻隔层的方法

权利要求书

1.一种形成密封阻隔层的方法，其包括：

在喷溅室内提供基材和喷溅靶，所述喷溅靶包含形成在导热背板上的喷溅材料，所述喷溅材料包括低Tg玻璃、低Tg玻璃的前体或者铜或锡的氧化物；

将所述喷溅材料维持在小于200℃；以及

用能源喷溅所述喷溅材料，以在所述基材的表面上形成包含所述喷溅材料的阻隔层；

在喷溅过程中，将所述阻隔层内的缺陷尺寸分布和缺陷密度分布维持在小于临界自密闭阈值，以通过所述阻隔层内的所述喷溅材料的摩尔体积膨胀实现空隙空间密闭。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述能源选自下组：离子源、激光、等离子体、磁控管及其组合。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷溅包括离子束辅助沉积。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在喷溅过程中，所述能源相对于所述喷溅靶移动。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述能源包括远程等离子体生成源。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在喷溅过程中，所述喷溅靶发生转动。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在喷溅过程中，将所述基材维持在小于200℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻隔层的沉积速率至少为10A/秒。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低Tg玻璃或低Tg玻璃的前体包括选自下组的材料：磷酸盐玻璃、硼酸盐玻璃、亚碲酸盐玻璃以及硫属化物玻璃。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低Tg玻璃或低Tg玻璃的前体包括选自下组的材料：磷酸锡、氟磷酸锡和氟硼酸锡。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述低Tg玻璃或低Tg玻璃的前体的组成包含如下物质：

20-100摩尔％的SnO；

0-50摩尔％的SnF₂；以及

0-30摩尔％的P₂O₅或B₂O₃。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铜的氧化物包括CuO。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述锡的氧化物包括SnO。

14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述铜的氧化物或锡的氧化物是无定形的。

15.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述喷溅材料包括所述铜或锡的氧化物或者低Tg玻璃的前体的压制粉末。