[发明专利]晶片清洗装置和方法

权利要求书

1.一种晶片清洗装置，包括：

梁，该梁用于支承多个半导体晶片，所述梁包括至少一个轴向延伸穿过所述梁的通道；

开口，该开口从所述通道延伸至相邻晶片之间的位置；

总管，该总管包括用于促使液体流经所述开口的导管；以及

浸槽，该浸槽包括超声换能器，该浸槽的尺寸适于容纳至少一对相邻晶片。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述浸槽的尺寸设计成使得晶片能完全浸入容纳在浸槽内的清洗溶液中。

3.根据权利要求1所述的装置，还包括具有第二导管的第二总管，该第二导管密封地联接至第二通道，该第二通道定位在牺牲梁的与所述通道相对的轴向端处。

4.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导管固定联接至限定所述通道的外周的边缘部。

5.根据权利要求1所述的装置，还包括构造成供应流过所述总管并流入所述通道的液体流的液体泵。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述泵构造成为每个总管每分钟提供15升到50升的液体流。

7.根据权利要求1所述的装置，包括多个开口，每个开口从所述通道延伸至相邻晶片之间的位置，所述开口占所述通道的长度的约30％至50％。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述开口的组合面积是所述通道的横截面积的约15倍到20倍。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述开口是横向于所述通道延伸的槽。

10.根据权利要求1所述的装置，包括至少三个通道。

11.根据权利要求10所述的装置，其中，所述开口与所述至少三个通道中的每一个流体连通。

12.根据权利要求1所述的装置，其中，所述浸槽包括底壁和侧壁，所述超声换能器联接至所述底壁，第二超声换能器联接至所述侧壁。

13.根据权利要求12所述的装置，其中，每个超声换能器以约50瓦到1500瓦的功率和约30kHz到约80kHz的频率运行。

14.根据权利要求1所述的装置，其中，所述导管的长度小于所述通道的轴向长度。

15.根据权利要求1所述的装置，其中，所述梁是联接至多个半导体晶片的牺牲梁。

16.一种从一对结合至牺牲梁的相邻晶片上除去污物的方法，所述方法包括：

将总管联接至所述牺牲梁，以使得所述总管的流体导管与轴向延伸穿过所述牺牲梁的通道流体连通；

将所述晶片浸入容纳在浸槽内的液体中，所述浸槽包括超声换能器；

使液体流过所述总管，从而使液体流过所述通道和晶片间开口，并且与所述晶片接触；以及

使所述超声换能器运行以在所述浸槽内产生振动。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，使所述液体流动包括每分钟使15升到50升的液体流动。

18.根据权利要求16所述的方法，还包括在液体流动过程中将所述导管保持在静止不动的位置。

19.根据权利要求16所述的方法，还包括以约50瓦至1500瓦的功率以及约30kHz到80kHz的频率运行所述超声换能器。

20.根据权利要求16所述的方法，其中，运行所述超声换能器以使得在半导体晶片上的碎屑物松动，并且使所述液体流过所述晶片间开口以通过将碎屑物带到液体中而将所述晶片上的碎屑物带走。

21.根据权利要求16所述的方法，还包括将第二总管联接至所述牺牲梁，以使得所述第二总管的第二流体导管与所述通道的与另一导管相对的端部流体连通。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，使所述液体流动包括使所述液体流过所述第二总管。