[发明专利]永磁体的角度误差的校正在审
申请号: | 201380072429.5 | 申请日: | 2013-12-09 |
公开(公告)号: | CN104969310A | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | F·格伦瓦尔德 | 申请(专利权)人: | 大陆-特韦斯贸易合伙股份公司及两合公司 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F13/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 张鲁滨;吴鹏 |
地址: | 德国法*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 永磁体 角度 误差 校正 | ||
1.一种磁体装置(1),包括至少两个彼此机械连接的子磁体(2,3),其中每个子磁体(2,3)的长度(12)沿着每个子磁体(2,3)的主磁化方向(4)和/或主方向(4)延伸,在所述主方向上子磁体(2,3)可被磁化或设置其磁化,并且所述子磁体(2,3)的在关于其长度(12)的端部处彼此对置的区域被确定为第一侧(5)和第二侧(6),其中,所述至少两个子磁体(2,3)关于其长度(12)前后相继地设置并且彼此连接,其特征在于:所述至少两个子磁体(2,3)在其磁化和/或可磁化性方面相对于彼此这样取向,使得尤其是关于整个磁体装置的磁化和/或可磁化性,一个子磁体(2)的磁化和/或可磁化性的方向与主磁化方向(4)和/或可磁化性的主方向(4)的偏差降低和/或基本上补偿另一个或相邻的子磁体(3)的磁化和/或可磁化性的方向与主磁化方向(4)和/或可磁化性的主方向(4)的偏差。
2.根据权利要求1所述的磁体装置,其特征在于:所述磁体装置(1)这样构造,使得所述磁体装置的总磁场(7)通过所述至少两个子磁体(2,3)相对于彼此的取向这样构造,使得通过所述子磁体(2,3)产生的磁场关于仅通过沿着所述主磁化方向(4)的磁化得到的磁场的偏差在所述子磁体(2,3)的共同作用下至少部分地得到补偿。
3.根据权利要求1或2所述的磁体装置,其特征在于:所述子磁体(2,3)在其磁材料方面构造成基本上各向异性的。
4.根据权利要求1至3至少之一所述的磁体装置,其特征在于:所述至少两个子磁体(2,3)用相同的模具(8,10,11)制造,尤其是在其磁化和/或可磁化性方面。
5.根据权利要求1至4至少之一所述的磁体装置,其特征在于:所述子磁体(2,3)分别基本上构造成圆柱状或圆柱段状或空心圆柱状或长方体状或具有多边形、尤其是等边多边形作为底面的棱柱状。
6.根据权利要求1至5至少之一所述的磁体装置,其特征在于:每个子磁体(2,3)这样构造,使得该子磁体关于其主磁化方向(4)和/或其可磁化性的主方向(4)、即尤其是关于其长度(12)具有相对于此基本上正交的磁化(9)和/或可磁化性(9),其中,关于所述正交的磁化(9)和/或可磁化性(9),一个子磁体(2)相对于相邻的另一个子磁体(3)布置成参照所述子磁体(2,3)的长度转过140°与220°之间的角度、尤其是基本上180°的角度。
7.根据权利要求1至6至少之一所述的磁体装置,其特征在于:每个子磁体(2,3)这样构造,使得该子磁体的一个侧(5)与另一个侧(6)相比,在该一个侧和/或该一个侧的区域中布置的磁微粒和/或相应磁材料的各向异性程度较高和/或同向取向程度较高,其中磁微粒和/或相应磁材料的各向异性程度较高和/或同向取向程度较高的侧被确定为该子磁体(2,3)的强极(5),相应地,磁微粒和/或相应磁材料的各向异性程度较低和/或同向取向程度较低的侧被确定为该子磁体(2,3)的弱极(6),其中,所述磁体装置(1)这样构造,使得相邻的子磁体(2,3)相对于彼此这样取向和布置,使得两个子磁体(2,3)的两个弱极(6)或两个强极(5)彼此相邻且彼此连接。
8.一种用于制造磁体装置(1)、尤其是根据权利要求1至7至少之一所述的磁体装置(1)的方法,其中,所述磁体装置由至少两个彼此机械连接的子磁体(2,3)接合而成,其中,在制造所述子磁体(2,3)期间或时或之前,磁微粒和/或磁材料基本上或主要在作为主磁化方向(4)和/或可磁化性的主方向(4)的所述子磁体的纵向方向(12)上取向,此后磁微粒和/或磁材料的取向被记忆,其特征在于:所述至少两个子磁体(2,3)在其磁化和/或可磁化性方面相对于彼此这样取向和布置,使得尤其是关于整个磁体装置(1)的磁化和/或可磁化性,一个子磁体(2)的磁化和/或可磁化性的方向与主磁化方向(4)和/或可磁化性的主方向(4)的偏差降低和/或基本上补偿另一个或相邻的子磁体(3)的磁化和/或可磁化性的方向与主磁化方向(4)和/或可磁化性的主方向(4)的偏差。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于:所述至少两个子磁体(2,3)在相同的子磁体制造模具(8)中制造。
10.根据权利要求8或9所述的方法,其特征在于:磁微粒和/或磁材料的取向的记忆和/或确定这样进行:所述磁材料被压制和/或烧结和/或焙烧和/或热处理和/或硬化和/或冷却。
11.根据权利要求8至10至少之一所述的方法,其特征在于:在制造至少一个第一和第二子磁体(2,3)之后,作为所述磁体装置(1)中的相邻的子磁体(2,3)的所述第一和第二子磁体在其在子磁体制造模具(8)中的取向方面以及关于其纵向方向前后相继布置,其中,每个子磁体(2,3)这样构造,使得该子磁体的一个侧(5)与其另一个侧(6)相比,在该一个侧和/或该一个侧的区域中布置的磁微粒和/或相应磁材料的各向异性程度较高和/或同向取向程度较高,其中,具有磁微粒和/或相应磁材料的各向异性程度较高和/或同向取向程度较高的侧被确定为该子磁体(2,3)的强极(5),相应地,磁微粒和/或相应磁材料的各向异性程度较低和/或同向取向程度较低的侧被确定为该子磁体(2,3)的弱极(6),其中,所述磁体装置(1)这样构造,使得相邻的子磁体(2,3)相对于彼此这样取向和布置,使得两个子磁体(2,3)的两个弱极(6)或两个强极(5)彼此相邻且彼此连接,和/或每个子磁体(2,3)这样构造,使得该子磁体关于其主磁化方向(4)和/或其可磁化性的主方向(4)——即尤其是关于其长度(12)——具有相对于此基本上正交的磁化(9)和/或可磁化性(9),其中,关于所述正交的磁化(9)和/或可磁化性(9),一个子磁体(2)相对于相邻的另一个子磁体(3)布置成参照所述子磁体(2,3)的纵向方向(12)转过140°与220°之间的角度、尤其是基本上180°的角度。
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