[发明专利]磁极化的光子器件

权利要求书

1.一种磁极化的光子器件，所述光子器件包括：

具有第一表面、与第一表面相对的第二表面、第三表面、第四表面、与第三表面相对的第五表面和与第四表面相对的第六表面的梯度带隙层，其中所述第一表面和所述第二表面基本上平行于三维坐标系的x-y平面，并且其中所述第三表面和所述第五表面基本上平行于x-z平面，x-z平面垂直于x-y平面，并且其中所述第四表面和所述第六表面基本上平行于y-z平面，y-z平面垂直于x-y平面和x-z平面，并且其中所述第三、第四、第五和第六表面垂直于所述第一和第二表面并且位于其间，并且其中所述第三和第五表面垂直于所述第四和第六表面并且位于其间，所述梯度带隙层具有沿平行于z轴延伸的梯度，其中较大的带隙值延伸自所述第一表面并且减小向所述第二表面前进的带隙值；

具有第七表面、与第七表面相对的第八表面、第九表面、第十表面、与第九表面相对的第十一表面和与第十表面相对的第十二表面的第一接触件，其中所述第七表面和所述第八表面基本上平行于x-y平面，并且其中所述第九表面和所述第十一表面基本上平行于x-z平面，并且其中所述第十表面和所述第十二表面基本上平行于y-z平面，并且其中所述第九、第十、第十一和第十二基本上垂直于所述第七和第八表面并且位于其间，并且其中所述第九和第十一表面基本上垂直于所述第十和第十二表面并且位于其间，并且其中所述第一接触件的第十一表面被电性耦接于所述梯度带隙层的第三表面；以及

具有第十三表面、与第十三表面相对的第十四表面、第十五表面、第十六表面、与第十五表面相对的第十七表面和与第十六表面相对的第十八表面的第二接触件，其中所述第十三表面和所述第十四表面基本上平行于x-y平面，并且其中所述第十五表面和所述第十七表面基本上平行于x-z平面，并且其中所述第十六表面和所述第十八表面基本上平行于y-z平面，并且其中所述第十五、第十六、第十七和第十八表面基本上垂直于所述第十三和第十四表面并且位于其间，并且其中所述第十六和第十八表面基本垂直于所述第十五和第十七表面并且位于其间，并且其中所述第二接触件的第十五表面被电性耦接于所述梯度带隙层的第五表面，并且其中所述第一和第二接触件基本上相对彼此设置；以及

其中当具有与梯度方向垂直并且沿平行于x轴的第二方向延伸的磁场线的磁场被施加到梯度带隙层时，电流沿平行于y轴的第三方向在第一与第二接触件之间流动。

2.如权利要求1所述的磁极化的光子器件，其中所述梯度带隙层由下组中的材料制成，该组包括：碲镉汞(HgCdTe)、硒镉汞(HgCdSe)、碲化汞(HgTe)、锑化铟(InSb)、碲化镉(CdTe)、硒化汞(HgSe)、砷化铟(InAs)、锑镓铝(AlGaSb)、锑砷铟(InAsSb)、硒镉汞(HgCdSe)、硒碲化镉锌(CdZnSeTe)、碲锰镉(CdMnTe)、锑碲化锌镓(ZnGaSbTe)、锑碲化锌铝(ZnAlSbTe)、锑化镓(GaSb)、碲化锌(ZnTe)、锑化铝(AlSb)、碲化锰(MnTe)、砷化镓(GaAs)、以及它们的组合和混合物。

3.如权利要求1所述的磁极化的光子器件，其中所述梯度带隙层具有从8.0eV到0.0eV的范围内的带隙值。

4.如权利要求1所述的磁极化的光子器件，所述磁极化的光子器件还包括安置在所述梯度带隙层之上的层。

5.如权利要求4所述的磁极化的光子器件，其中所述安置在所述梯度带隙层之上的层包括光的波长的滤波器。

6.如权利要求4所述的磁极化的光子器件，其中所述安置在所述梯度带隙层之上的层包括保护性涂层。

7.如权利要求4所述的磁极化的光子器件，其中所述安置在所述梯度带隙层之上的层包括透镜。

8.如权利要求4所述的磁极化的光子器件，其中所述安置在所述梯度带隙层之上的层包括光子器件。

9.如权利要求4所述的磁极化的光子器件，其中所述安置在所述梯度带隙层之上的层包括光的选择性波长的反射器。