[发明专利]柔性基材上的薄膜氮化硅阻挡层

权利要求书

1.一种制品，其包括：

有机聚合物基材；和

无机单层，所述无机单层直接沉积于所述有机聚合物基材，其中所述无机单层基本上由氮化硅组成，所述无机单层具有不大于400MPa的应力，至少1.5g/cm3的密度，至少150nm的厚度，和不大于0.005g/m2/天的水蒸气透过速率(WVTR)。

2.一种密封的光学装置，其包括：

电子部件；和

上覆所述电子部件的阻挡叠堆，其中所述阻挡叠堆包括：

有机聚合物基材；和

无机单层，所述无机单层直接沉积于所述有机聚合物基材，其中所述无机单层基本上由氮化硅组成，所述无机单层具有不大于400MPa的应力，至少1.5g/cm3的密度，至少150nm的厚度，和不大于0.005g/m2/天的水蒸气透过速率(WVTR)。

3.根据权利要求2所述的密封的光学装置，其中所述密封的光学装置为有机发光二极管(OLED)或光伏(PV)组件。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的制品或密封的光学装置，其中所述基材为柔性的。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的制品或密封的光学装置，其中所述应力不大于390MPa。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的制品或密封的光学装置，其中所述密度为至少2g/cm3且不大于2.85g/cm3。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的制品或密封的光学装置，其中应力和密度根据下式相关：

应力<S*密度+I，

其中S具有不大于550MPa·cm3/g的值，且其中I不大于-400MPa。

8.根据权利要求7所述的制品或密封的光学装置，其中S为539MPa·cm3/g，且I为-915MPa。

9.根据权利要求7所述的制品或密封的光学装置，其中所述无机阻挡层具有不大于350MPa的应力和至少2.0g/cm3的密度。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的制品或密封的光学装置，其中所述聚合物基材包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯、聚氨酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰胺、含氟聚合物或它们的任意组合。

11.一种在聚合物基材上制备氮化硅单层的方法，其中所述氮化硅层具有不大于400MPa的应力、至少1.5g/cm3的密度、至少150nm的厚度和不大于0.005g/m2/天的水蒸气透过速率(WVTR)，所述方法包括通过等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)在聚合物基材上沉积氮化硅，其中所述PECVD在具有反应器的室中进行，所述方法还包括：

将SiH4和NH3添加至所述室中，SiH4/NH3的摩尔比为0.4至1.0之间；

将所述室加热至70℃至130℃之间的温度；

在225μbar至500μbar之间调节所述室中的压力；以及

以200W至450W之间的功率从所述反应器发射射频。