[发明专利]用于三维图像编辑的改进的技术

说明书

技术领域

本文所描述的实施例一般涉及三维(3D)图像的生成、操作、呈现和消耗。

背景技术

存在用于生成3D图像的各种常规技术。根据一些这类技术，特定的3D图像可由多个子图像组成。例如，根据立体3D技术所生成的3D图像由左右子图像组成，当串联地观看时其形成3D效果。为了编辑这种3D图像，执行其子图像的修改可能是必要的。这些修改应当被确定，使得3D图像的质量被保存。

附图说明

图1图示设备的一个实施例和第一系统的一个实施例。

图2图示一连串的子图像修改的一个实施例。

图3图示逻辑流程的一个实施例。

图4图示第二系统的一个实施例。

图5图示第三系统的一个实施例。

图6图示装置的一个实施例。

具体实施方式

各种实施例可一般针对用于三维(3D)图像编辑的技术。在一个实施例中，例如，一种设备可包括处理器电路和3D图形管理模块，并且3D图形管理模块可由处理器电路操作以确定包括第一子图像和第二子图像的3D图像中的第一子图像的修改信息，基于第一子图像的修改信息来修改第一子图像，基于第一子图像的修改信息来确定第二子图像的修改信息，并且基于第二子图像的修改信息来修改第二子图像。其他实施例可被描述和被主张。

各种实施例可包括一个或多个元素。元素可包括布置成执行某些操作的任何结构。每个元素可实现为硬件、软件或其任何组合，如给定设计参数或性能约束的集合所希望的。尽管实施例可作为示例来使用某些拓扑中有限数量的元素来描述，但实施例可在备选的拓扑中包含或多或少的元素，如给定实现中所希望的。值得注意，对“一个实施例”或“实施例”的任何提及表示结合实施例所描述的特定特征、结构或特性包含于至少一个实施例。说明书中的各处出现的短语“在一个实施例中”、“在一些实施例中”和“在各种实施例中”不一定全部指的是相同的实施例。

图1图示设备100的框图。如图1所示，设备100包括多个元素，其包含处理器电路102、存储器单元104和3D图形管理模块106。然而，实施例不限于附图中所示的元素的类型、数量或布置。

在各种实施例中，设备100可包括处理器电路102。处理器电路102可使用任何处理器或逻辑装置来实现，例如复杂指令集计算机(CISC)微处理器、精简指令集计算(RISC)微处理器、超长指令字(VLIW)微处理器、x86指令集兼容处理器、实现指令集的组合的处理器、诸如双核处理器或双核移动处理器的多核处理器或任何其他微处理器或中央处理单元(CPU)。处理器电路102还可实现为专用处理器，例如控制器、微控制器、嵌入处理器、芯片多处理器(CMP)、协处理器、数字信号处理器(DSP)、网络处理器、媒体处理器、输入/输出(I/O)处理器、媒体访问控制(MAC)处理器、无线电基带处理器、专用集成电路(ASIC)、现场可编程门阵列(FPGA)、可编程逻辑装置(PLD)等。在一个实施例中，例如，处理器电路102可实现为通用处理器，例如加利福尼亚州圣克拉拉的公司制造的处理器。实施例不限于这个上下文中。

在一些实施例中，设备100可包括或布置成与存储器单元104通信地耦合。存储器单元104可使用能够存储数据的任何机器可读或计算机可读媒体实现，该媒体包含易失性和非易失性存储器。例如，存储器单元104可包含只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、动态RAM(DRAM)、双数据率DRAM(DDRAM)、同步DRAM(SDRAM)、静态RAM(SRAM)、可编程ROM(PROM)、可擦除可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、诸如铁电高聚物存储器的高聚物存储器、双向存储器、相变或铁电存储器、硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储器、磁或光卡或适用于存储信息的任何其他类型的媒体。值得注意，存储器单元104的某个部分或全部可包含在与处理器电路102相同的集成电路上或备选地存储器单元104的某个部分或全部可设置在集成电路或在处理器电路102的集成电路外部的其他媒介例如硬盘驱动器上。尽管存储器单元104包括在图1中的设备100内，但是存储器单元104可在一些实施例中在设备100的外部。实施例不限于这个上下文。