[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

是在同一半导体基板具备绝缘栅双极型晶体管和控制所述绝缘栅双极型晶体管的电路的半导体装置，其具备：

第一元件部，其配置有所述绝缘栅双极型晶体管；

第二元件部，其配置有所述电路，所述电路包含在正面具有源区和漏区的多个MOSFET；

第二导电型漂移区，其设置于第一导电型的所述半导体基板的正面上；

第一导电型区，其设置于所述第二导电型漂移区的与所述半导体基板侧相反一侧的表面层；和

绝缘体层，其在深度方向上贯通所述第一导电型区而到达所述第二导电型漂移区，

其中，所述绝缘体层设置于所述第一元件部和所述第二元件部之间的边界，

所述第一导电型区通过所述绝缘体层被分离为所述第一元件部侧的所述绝缘栅双极型晶体管的发射电位的第一个第一导电型区和所述第二元件部侧的第二个第一导电型区，

所述半导体装置还具备：

第一接触电极，其与所述第二个第一导电型区接触，

其中，所述第一接触电极与所述绝缘栅双极型晶体管的发射电极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二个第一导电型区与构成所述电路的绝缘栅型半导体元件的基区接触。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第二个第一导电型区包围所述绝缘栅型半导体元件的周围。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

所述绝缘栅双极型晶体管的发射电位的第二接触电极，其以包围所述第一元件部以及所述第二元件部的方式设置在所述半导体基板的外周部侧。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘体层的端部从所述第二个第一导电型区的端部向外周方向延伸。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述绝缘体层的端部位于比所述第二接触电极的外周端更靠近内周侧的位置。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从所述绝缘体层的所述半导体基板侧的端部至所述第二导电型漂移区与所述半导体基板之间的界面为止的距离为空穴的扩散长度以上。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从所述绝缘体层的所述半导体基板侧的端部至所述第二导电型漂移区与所述半导体基板之间的界面为止的距离为所述第二导电型漂移区的厚度的一半以上。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从所述绝缘体层的所述半导体基板侧的端部至所述第二导电型漂移区与所述半导体基板之间的界面为止的距离为空穴的扩散长度以下。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

从所述绝缘体层的所述半导体基板侧的端部至所述第二导电型漂移区与所述半导体基板之间的界面为止的距离为所述第二导电型漂移区的厚度的一半以下。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还具备：

连接在所述第二个第一导电型区和所述第一接触电极之间的电阻。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置为点火器，

所述绝缘栅双极型晶体管作为使流过点火线圈的初级侧线圈的低压电流通断的开关而动作。