[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

半导体基板，所述半导体基板包括：第一导电型的漂移层；第二导电型的体层，其被设置于漂移层的表面侧；第一导电型的第一半导体层，其被设置在体层的表面的一部分上；和

沟槽栅，其从半导体基板的表面起贯穿体层以及第一半导体层并到达漂移层，

沟槽栅具备被形成在沟槽的内壁上的栅绝缘膜和被配置于栅绝缘膜的内侧的栅电极，

位于与半导体基板的体层相接的深度处的沟槽的内壁为半导体基板的(100)晶面，

沟槽的在与长边方向垂直的短边方向上的宽度为，与成为从半导体基板的第一半导体层的下端到体层的下端为止的深度的位置处的宽度相比，成为半导体基板的表面的位置处的宽度较窄。

2.一种半导体装置的制造方法，其中，

所述半导体装置具备：

半导体基板，所述半导体基板包括：第一导电型的漂移层；第二导电型的体层，其被设置于漂移层的表面侧；第一导电型的第一半导体层，其被设置在体层的表面的一部分上；和

沟槽栅，其从半导体基板的表面起贯穿体层以及第一半导体层并到达漂移层，

在所述半导体装置的制造方法中，

沟槽栅通过如下方式而形成，即，

在包含漂移层的半导体晶片上，形成在与沟槽的长边方向垂直的短边方向上的宽度为，与成为从半导体装置的第一半导体层的下端至体层的下端为止的深度的位置相比，在成为半导体基板的表面的位置的开口部处较窄的沟槽；

在沟槽的内壁上形成栅绝缘膜；

向沟槽内填充与栅绝缘膜相接的栅电极；

将位于沟槽的开口部的下方的栅电极的至少一部分去除而形成去除部；并且

向去除部填充栅电极，

体层通过如下方式而形成，即，在填充了栅电极之后，向半导体晶片注入第二导电型的离子。