[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201380075051.4 申请日: 2013-03-25
公开(公告)号: CN105051886B 公开(公告)日: 2018-06-08
发明(设计)人: 船矢琢央;五十岚孝行 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/822 分类号: H01L21/822;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522;H01L27/04
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李罡;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 绝缘膜 层叠膜 焊盘 半导体基板 半导体装置 层叠绝缘膜 氮化硅膜 绝缘膜地 氧化硅膜 磁耦合 开口部 树脂膜 覆盖 配置 制造
【说明书】:

在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1),以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜,在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF),在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方,线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法,例如能够适合利用于具备线圈的半导体装置及其制造方法。

背景技术

作为在所输入的电信号的电位相互不同的2个电路之间传递电信号的技术,存在使用光电耦合器的技术。光电耦合器具有发光二极管等发光元件和光电晶体管等受光元件,通过发光元件将所输入了的电信号转换成光,通过受光元件使该光恢复成电信号,从而传递电信号。

另外,开发了通过使2个电感器磁耦合(电感耦合)来传递电信号的技术。

在日本特开2008-270465号公报(专利文献1)、日本特开2008-277564号公报(专利文献2)中,公开了与微型变压器有关的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2008-270465号公报

专利文献2:日本特开2008-277564号公报

发明内容

发明所要解决的课题

作为在所输入的电信号的电位相互不同的2个电路之间传递电信号的技术,存在使用光电耦合器的技术,但光电耦合器具有发光元件与受光元件,所以难以小型化。另外,在电信号的频率高的情况下,无法跟踪电信号等,在其应用中存在界限。

另一方面,在通过磁耦合了的电感器传递电信号的半导体装置中,能够使用半导体装置的微型加工技术来形成电感器,所以能够实现装置的小型化,另外,电特性也良好。因此,期望推进其开发。

因此,在具备这样的电感器的半导体装置中,也期望尽可能提高可靠性。

其他课题与新的特征将根据本说明书的叙述以及附图而变得明确。

用于解决课题的技术方案

根据一种实施方式,半导体装置具有:在半导体基板的上方配置了的第1线圈以及第1焊盘、在所述第1线圈的上方配置了的第2线圈、以及介于第1线圈与第2线圈之间的层叠绝缘膜具有。然后,所述层叠绝缘膜由氧化硅膜、所述氧化硅膜上的氮化硅膜、以及所述氮化硅膜上的树脂膜构成,所述第1焊盘的一部分被所述层叠绝缘膜覆盖。

另外,根据一种实施方式,半导体装置的制造方法具有:在半导体基板上形成第1绝缘膜的工序、在所述第1绝缘膜上形成第1线圈的工序、在所述第1绝缘膜上以覆盖所述第1线圈的方式形成第2绝缘膜的工序、以及在所述第2绝缘膜上形成第1焊盘的工序。还具有:在所述第1绝缘膜上形成具有使所述第1焊盘露出的第1开口部的层叠绝缘膜的工序、以及在所述层叠绝缘膜上形成第2线圈与第1布线的工序。所述第2线圈配置在所述第1线圈的上方,所述层叠绝缘膜由氧化硅膜、所述氧化硅膜上的氮化硅膜、以及所述氮化硅膜上的树脂膜构成。

发明效果

根据一种实施方式,能够提高半导体装置的可靠性。

附图说明

图1是示出使用一种实施方式的半导体装置的电子装置的一个例子的电路图。

图2是示出信号的传送例的说明图。

图3是一种实施方式的半导体装置的主要部分剖视图。

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