[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

开关元件；

驱动电路，其基于从外部的控制装置提供的控制信号，输出用于驱动所述开关元件的驱动控制信号；以及

控制电路，其基于从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号，对所述开关元件的驱动进行控制，

所述驱动电路在所述控制信号是用于驱动所述开关元件的信号的情况下，将信号电平相对较低的低电平的所述驱动控制信号输出，

所述驱动电路在所述控制信号是用于使所述开关元件的驱动停止的信号的情况下，将信号电平相对较高的高电平的所述驱动控制信号输出，

所述控制电路具有用于蓄积电荷的电荷蓄积用电容器，

所述控制电路在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为高电平时，使所述开关元件的驱动停止，并对所述电荷蓄积用电容器进行充电，

所述控制电路在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为低电平时，使用蓄积在所述电荷蓄积用电容器中的电荷，对所述开关元件进行驱动。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路具有放电阻抗调整电路，该放电阻抗调整电路在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为高电平时，对来自所述开关元件的放电阻抗进行调整。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路具有：

防止电荷回流用肖特基势垒二极管，其用于防止来自所述电荷蓄积用电容器的电荷的回流；以及

场效应型晶体管，其设置于所述防止电荷回流用肖特基势垒二极管的阳极和阴极之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路具有放电抑制电路，该放电抑制电路在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号从高电平切换至低电平时，对蓄积在所述电荷蓄积用电容器中的电荷的放电进行抑制。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路具有：

电流检测电路，其对流过所述开关元件的电流进行检测；以及

在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为高电平时，如果由所述电流检测电路检测的流过所述开关元件的电流变得高于预先确定的电流值，则使所述控制电路的消耗电流增加的电路。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路具有：

电流检测电路，其对流过所述开关元件的电流进行检测；以及

在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为低电平时，如果由所述电流检测电路检测的流过所述开关元件的电流变得高于预先确定的电流值，则使用蓄积在所述电荷蓄积用电容器中的电荷，使电流向所述驱动电路流动的电路。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路具有：

电流检测电路，其对流过所述开关元件的电流进行检测；

在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为高电平时，如果由所述电流检测电路检测的流过所述开关元件的电流变得高于预先确定的电流值，则使所述控制电路的消耗电流增加的电路；以及

在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为低电平时，如果由所述电流检测电路检测的流过所述开关元件的电流变得高于预先确定的电流值，则使用蓄积在所述电荷蓄积用电容器中的电荷，使电流向所述驱动电路流动的电路。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路具有：

温度检测电路，其对温度进行检测；以及

在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为高电平时，如果由所述温度检测电路检测的温度变得高于预先确定的温度，则使所述控制电路的消耗电流增加的电路。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述控制电路具有：

温度检测电路，其对温度进行检测；以及

在从所述驱动电路输出的所述驱动控制信号为低电平时，如果由所述温度检测电路检测的温度变得高于预先确定的温度，则使用蓄积在所述电荷蓄积用电容器中的电荷，使电流向所述驱动电路流动的电路。