[发明专利]用于存储器装置中的读出放大器的自定时器

说明书

本发明公开了一种用于存储器装置中的读出放大器的自定时器。

技术领域

本发明公开了一种用于存储器装置中的读出放大器的自定时器。

背景技术

使用浮栅而在其上存储电荷的非易失性半导体存储器单元及形成于半导体衬底中的此类非易失性存储器单元的存储器阵列在本领域中是熟知的。通常，此类浮栅存储器单元一直是分裂栅类型或层栅类型的。

读操作通常使用读出放大器在浮栅存储器单元上进行。用于该目的的读出放大器在美国专利No.5,386,158(“’158专利”)中有所公开，该专利以引用方式并入本文以用于所有目的。’158专利公开了使用汲取已知量的电流的参考单元。’158专利依赖于镜射由参考单元汲取的电流的电流镜，以及镜射由所选存储器单元汲取的电流的另一电流镜。然后对每个电流镜中的电流进行比较，并可基于哪一电流更大来确定存储在存储器单元中的值(例如0或1)。

另一种读出放大器在美国专利No.5,910,914(“’914专利”)中有所公开，该专利以引用方式并入本文以用于所有目的。’914专利公开了用于可存储多于一位数据的多层浮栅存储器单元或MLC的读出电路。其公开了多个参考单元的使用，这些参考单元用来确定存储器单元中存储的值(例如00、01、10或11)。

读出放大器通常利用与所选存储器单元进行比较以确定所选存储器单元的内容的参考存储器单元。所选存储器单元部分地通过断定相应的位线来选择。位线将包括固有电容。这可影响读出放大器的时序和准确度。

需要的是改进的读出放大器，其补偿位线的固有电容以提高闪存装置中读出放大器的准确度。

发明内容

上述问题和需求通过下述实施例得到解决。本发明公开了一种时序发生器。时序发生器接收预充电的位线和仿真实际的所选存储器单元的参考单元。时序发生器生成可用于启用读出数据操作的信号。

附图说明

图1示出使用时序发生器生成读出放大器控制信号的实施例。

图2示出与读出放大器一起使用的时序发生器的实施例。

图3示出与读出放大器一起使用的时序发生器的另一个实施例。

图4示出与读出放大器一起使用的时序发生器的另一个实施例。

具体实施方式

现在将参考图1描述实施例。控制电路10接收ATD信号90，其为指示已将地址提供给从闪存阵列(未示出)进行的读操作的“地址转变检测”信号。控制电路10包括预充电块30，其接收作为电压源的偏压20。预充电块在节点40输出电压。控制电路10还包括参考单元60，其为“虚拟”存储器单元，该存储器单元仿真读出放大器将与之一起使用的闪存阵列(未示出)中的存储器单元。参考存储器单元60耦合到YMUX(Y多路复用器)50，其继而连接到节点40。YMUX 50与用于从闪存阵列读取数据的多路复用器的类型相同。

控制电路10还包括接收节点40以作为输入的时序发生器100。时序发生器100的输出耦合到逻辑控件70，并且逻辑控件70的输出为读出放大器控制信号80。读出放大器控制信号80用于触发从闪存阵列的读操作。

使用读出放大器控制信号80代替ATD信号90(现有技术中就是这种情况)可导致更准确的读出操作，因为读出放大器控制信号80的时序受参考单元60的参考单元电流和YMUX50的电容的影响，它们仿真在从存储器阵列进行读操作期间所选存储器单元和位线的作用。因此，读出放大器控制信号80包含从存储器阵列读出数据时固有的相同时序变化，并因此将更好地匹配于数据读出操作。