[发明专利]多级掩模电路制造及多层电路有效
申请号: | 201380076184.3 | 申请日: | 2013-04-30 |
公开(公告)号: | CN105431797B | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | P·梅;C·P·陶西格;M·阿尔曼扎-沃克曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;H01L21/027;H01L21/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩模 导体 第二导体层 第一导体层 电隔离 多层电路 间隙式 桥接 绝缘层 导体图案 电路制造 掩模电路 图案化 底切 替代 覆盖 制造 | ||
电路制造使用多级掩模来图案化多层电路的第一导体层。第一导体图案化是要提供第一导体层与覆在多级掩模上面和位于多级掩模下中的一者的第二导体层之间的电隔离。在第二导体层覆盖多级掩模的情况下,通过底切多级掩模来提供电隔离。替代地,在第二导体位于多级掩模下的情况下,第一导体包括桥接间隙式导体,并且可通过桥接间隙式导体以及第二导体层与第一导体层之间的绝缘层两者来提供电隔离。
相关申请的交叉引用
无
关于联邦资助研究或开发的声明
无
背景技术
多层集成电路在多种电子器件的生产及经济可行性上是日益重要的。例如,诸如但不限于有源矩阵背板及投射式电容触摸传感器之类的多层电路采用跨件(crossover)或跨桥(crossover bridge)来将电路的一部分(例如,第一电容电极)连接至多层电路的另一部分(例如,第二电容电极),同时提供相对于多层电路的其他部分的电隔离。通常由单独的层来提供这些跨件,该单独的层通过绝缘体与多层电路的底下部分分离。在各种示例中,该绝缘体可为空气或绝缘(例如,介电)材料。
附图说明
可连同附图参照下列详细描述更易于了解根据本文所述原理的示例的各种特征,其中类似的附图标记代表类似的结构元件,且其中:
图1示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的多级掩模电路制造的方法的流程图。
图2A示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的多层电路在多级掩模电路制造期间的截面图。
图2B示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图2A中所示的多层电路在蚀刻第一导体层之后的截面图。
图2C示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图2B中所示的多层电路在沉积第二导体层之后的截面图。
图2D示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图2C中所示的多层电路在用另一掩模材料覆盖第二导体层之后的截面图。
图2E示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图2D中所示的多层电路接着侵蚀另一掩模材料之后的截面图。
图2F示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图2E中所示的多层电路接着蚀刻第二导体层的暴露部分之后的截面图。
图2G示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图2F中所示的多层电路在移除掩模材料之后的截面图。
图3示出了根据与本文中所述的原理一致的另一示例的一多级掩模电路制造的方法的流程图。
图4A示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的多层电路在根据多级掩模电路制造方法的制造期间的截面图。
图4B示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图4A中所示的多层电路在蚀刻之后的截面图。
图4C示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图4B中所示的多层电路在侵蚀多级掩模之后的截面图。
图4D示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图4C中所示的多层电路接着蚀刻之后的截面图。
图5示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的桥接间隙式导体的平面图。
图6A示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的投射式电容触摸传感器的平面图。
图6B示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图6A中所示的投射式电容触摸传感器的一部分的立体图。
图7A示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的投射式电容触摸传感器的一部分的展开立体图。
图7B示出了根据与本文中所述的原理一致的示例的图7A中所示的投射式电容触摸传感器的部分的平面图。
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