[发明专利]存储器模块外的ECC辅助存储器系统

说明书

背景技术

高可用性计算可通过使用纠错码(ECC)存储器系统避免由于不可避免的数据错误引起的停机时间。诸如汉明码或三模冗余(TMR)之类的纠错码采用冗余来允许检测和纠正最常见的数据错误。为了适应(accommodate)冗余，ECC存储器模块为存储器列(rank)中的每8个字节的数据(64位)通常提供9字节的存储(9×8＝72位)。像非ECC存储器，存储器可被提供在将在基板(baseboard)上安装的存储器模块(例如，SIMM和DIMM)中。实际的错误检测和纠正由通常在基板上的具有ECC能力的存储器控制器运行。在存储器模块上具有控制器的“SIMM上的ECC”(EOS)存储器可用于系统，而无需内置ECC支持。

附图说明

以下附图表示实例而不是本发明本身。

图1是根据实例的ECC存储器系统的示意图。

图2是根据实例的ECC存储器过程的流程图。

图3是主控ECC存储器系统的计算机系统的示意图。

图4是根据实例的可以在图3的ECC存储器系统上实施的ECC存储器过程的流程图。

具体实施方式

相对于非ECC存储器，ECC存储器模块可以是昂贵的，这不仅由于冗余的ECC码所需的额外容量，而且由于有利于更广泛使用的非ECC存储器模块的规模经济学。因此，虽然容量考虑单独会为ECC存储器模块产生大约12％的溢价，但是主要由于规模经济学，实际溢价可以直到100％。由于每个EOS存储器模块上的ECC控制器的并入，EOS存储器的溢价甚至更大。

通过使用存储器模块外的ECC辅助(OMMES，off-memory-moduleECC-supplemental)存储器提供经过ECC编码的数据字所需的额外容量，ECC系统100解决了与ECC存储器模块相关联的成本考虑。因此，可以在具有ECC能力的系统中实现由于与非ECC存储器模块相关联的规模经济学引起的成本节约。

ECC系统100包括具有ECC能力的存储器控制器102、OMMES存储器104和非ECC存储器模块组106。在本文中，“非ECC存储器模块组”是指一个或更多非ECC存储器模块构成的组。本领域技术人员可以容易地区别ECC存储器模块和非ECC模块。

众所周知，计算机通常将数据存储为0和1的串的物理(例如，电、磁或光)编码，并且将所述数据作为0和1的串的物理(例如，电、磁或光)编码传送。一个二进制值可以表示一个数据“位”。这些位通常以二进制值串的形式被布置在“数据字”中；数据字通常是二的幂位长，例如64位长。八位经常被称作“字节”，因此64位数据字也可被表征为8字节的数据字。

不是在单个存储器设备上存储整个数据字，而是数据字的多个段可以分布在多个存储器设备之间，使得这些段可以被并行访问。在本文中，“存储器设备”是指主要被设计成存储数据的单片集成电路；通常，存储器设备是SDRAM(同步动态随机存取存储器)。因此，在非ECC存储器中，8字节的数据字可以分布在八个x8、四个x16或16个x4的存储器设备之间。在其间分布字的设备被统称为“列”。因此，通常的非ECC双列直插存储器模块(DIMM)可以包括在印刷电路板(PCB)上的两列八个集成电路存储器。

ECC编码通常给每八个字节增加八位，使得64位(8字节)字消耗经过ECC编码的形式的72位(九字节)。因此，不是被分布在八个存储器设备上，而是经过ECC编码的字分布在九个集成电路存储器上。因此，通常的ECC存储器模块(例如，DIMM)包括九个存储器设备，而通常的双列ECCDIMM包括18个集成电路存储器。其它配置也是已知的。一般来说，非ECC存储器模块具有八的整数倍个集成电路存储器，而ECC存储器模块可以具有每列一个附加的存储器设备，以应对通过ECC编码所要求的超额容量。

在EOS存储器模块的情况下，在(一个或多个)存储器模块上提供ECC控制器和ECC超额容量。在常规的(非EOS)ECC存储器模块的情况下，控制器是在模块外的，例如在基板上，但是在模块上提供超额容量。在ECC存储器系统100的情况下，具有ECC能力的存储器控制器102和提供超额容量的OMMES存储器104二者都是在模块外的，也就是说，不在常规的存储器模块上。这通过使用常规的非ECC存储器模块而允许ECC功能性(强化以抗所存储的数据中的错误)。