[发明专利]清洗方法和清洗装置

权利要求书

1.一种清洗方法，其特征在于，包括：

喷射步骤，在该步骤中，将多个被清洗部件以及喷淋喷嘴沉降于充满处理液的处理槽内，在保持该状态的同时，上述喷淋喷嘴朝向上述多个被清洗部件从上述被清洗部件的上侧以高压状态进行喷淋喷射与充满于上述处理槽中的处理液相同的处理液，剥离被清洗部件的膜；

排出步骤，在该步骤中，在对沉降有上述多个被清洗部件的处理槽内的处理液以及朝向上述多个被清洗部件喷射的处理液从被清洗部件的下侧进行排出时，为了一边保持将多个被清洗部件沉降于处理液中的状态，一边从上述处理槽内排出上述处理液，在连续喷射上述处理液的同时，将其排出；

其中，上述喷射步骤和排出步骤同时进行。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其中，上述喷射步骤的上述处理液的喷射方向与上述排出步骤的上述处理液的排出方向相同。

3.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其中，按照下述方式进行控制，该方式为：慢慢增加上述喷射步骤的处理液的喷射量，并且按照与上述喷射量相同量的方式慢慢增加上述排出步骤的处理液的排出量。

4.根据权利要求3所述的清洗方法，其中，在上述控制后，使上述排出步骤的处理液的排出量大于上述喷射步骤的处理液的喷射量，从而降低处理液的液位。

5.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其中，在上述喷射步骤之前设置浸渍步骤，在该浸渍步骤中，于上述处理槽内，将上述多个被清洗部件浸渍于处理液中。

6.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其中，上述多个被清洗部件收纳于收纳架中。

7.根据权利要求1或2所述的清洗方法，其中，上述被清洗部件为形成有抗蚀剂和金属薄膜的半导体基板。

8.一种清洗装置，其特征在于，包括：

处理槽；

喷射机构，在将多个被清洗部件以及喷射机构沉降于充满处理液的上述处理槽内并保持该状态的同时，该喷射机构朝向上述多个被清洗部件从上述被清洗部件的上侧以高压状态进行喷淋喷射与充满于上述处理槽中的处理液相同的处理液，剥离被清洗部件的膜；

排出机构，该排出机构在对沉降有上述多个被清洗部件的处理槽内的处理液以及朝向上述多个被清洗部件喷射的处理液从被清洗部件的下侧进行排出时，为了一边保持将上述多个被清洗部件沉降于处理液中的状态，一边从上述处理槽内排出上述处理液，在连续喷射上述处理液的同时，将其排出；

其中，上述喷射机构和排出机构的喷射动作和排出动作同时进行。

9.根据权利要求8所述的清洗装置，其中，上述喷射机构设置于上述处理槽的上部，上述排出机构设置于上述处理槽的下部。

10.根据权利要求8或9所述的清洗装置，其中，上述喷射机构的上述处理液的喷射方向与上述排出机构的上述处理液的排出方向相同。

11.根据权利要求8或9所述的清洗装置，其包括控制机构，该控制机构用于慢慢增加上述喷射机构的处理液的喷射量，并且用于按照与上述喷射量相同量的方式慢慢增加上述排出机构的处理液的排出量。

12.根据权利要求8或9所述的清洗装置，其中，上述处理槽为在朝向上述被清洗部件喷射上述处理液之前，将上述多个被清洗部件浸渍于上述处理液中的处理槽。

13.根据权利要求8或9所述的清洗装置，其中，该清洗装置设置有回收机构，该回收机构回收从上述被清洗部件上脱离的被清洗物。

14.根据权利要求8或9所述的清洗装置，其中，上述喷射机构为多个喷淋喷嘴，该多个喷淋喷嘴朝向上述多个被清洗部件而均等地设置。

15.根据权利要求8或9所述的清洗装置，其中，上述被清洗部件为形成有抗蚀剂和金属薄膜的半导体基板。