[发明专利]基于交流的可写设备

权利要求书

1.一种系统，包括：

非易失性存储器设备，可写入到高电阻状态和低电阻状态；以及

控制器，基于交流（AC）信号的施加来加热所述非易失性存储器设备到至少阈值温度，并且基于电压偏置的施加写入到所述非易失性存储器设备。

2.权利要求1所述的系统，其中所述非易失性存储器设备是忆阻器，并且所述阈值温度与临界离子移动水平相关联。

3.权利要求1所述的系统，其中所述电压偏置是诱发离子移动的直流（DC）电压。

4.权利要求1所述的系统，其中所述电压偏置是用于在电压偏置的施加期间诱发离子移动并且不增加所述非易失性存储器设备的温度。

5.权利要求1所述的系统，其中所述电压偏置是正的，用于诱发朝着实现高电阻状态的离子移动。

6.权利要求1所述的系统，其中所述电压偏置是负的，用于诱发朝着实现低电阻状态的离子移动。

7.权利要求1所述的系统，其中所述AC信号是非对称偏置的，用于在通过AC信号加热期间影响离子移动的速率，用于基于偏置的AC信号的施加而促进或抵抗离子扩散到期望的状态。

8.权利要求1所述的系统，其中所述控制器用于依据要超出阈值温度的热梯度基于AC信号来加热所述非易失性存储器设备，用于在热梯度通过阈值温度之下之前能够实现电压偏置的施加。

9.权利要求8所述的系统，其中所述电压偏置的施加与不增加热梯度相关联。

10.一种系统，包括

基于多个忆阻器的存储器，其中忆阻器可写入到高电阻状态和低电阻状态；

控制器，选择要写入的忆阻器，基于交流（AC）信号的施加在阈值温度处或在阈值温度之上加热所述忆阻器，以及在阈值温度处或在阈值温度之上加热所述忆阻器时基于电压偏置的施加写入到所述忆阻器。

11.权利要求10所述的系统，其中所述阈值温度对应于与离子移动相关联的临界离子移动水平，并且所述电压偏置用于与基于AC信号加热忆阻器分离地在离子移动期间诱发离子漂移。

12.一种方法，包括：

施加AC信号到非易失性存储器设备以加热设备到至少临界离子移动水平；以及

基于通过在作为用AC信号加热的结果而在临界离子移动水平处或之上时将负的DC信号施加到非易失性存储器设备来诱发离子移动，将非易失性存储器设备写入到低电阻状态。

13.权利要求12所述的方法，进一步包括：基于施加正的DC信号来加热非易失性存储器设备到至少临界离子移动水平，将非易失性存储器设备写入到高电阻状态。

14.权利要求12所述的方法，进一步包括：基于施加AC信号来加热非易失性存储器设备到至少临界离子移动水平并且在作为用AC信号加热的结果而在临界离子移动水平处或之上时施加正的DC信号以诱发离子移动，将所述非易失性存储器设备写入到高电阻状态。

15.权利要求12所述的方法，进一步包括：在AC信号的阶段期间基于对应于离子移动量的AC信号频率来施加AC信号，该离子移动量近似等于或小于非易失性存储器设备的尺度的十分之一。