[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置有效
| 申请号： | 201380077346.5 | 申请日： | 2013-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN105324833B | 公开（公告）日： | 2018-02-02 |
| 发明（设计）人： | 福田祐介 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/268;H01L21/329;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 以及 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
在碳化硅结晶所构成的半导体基板的第一主面上形成半导体层的工序；
在与所述半导体基板的所述第一主面相反的第二主面侧生成晶格缺陷的工序；
在所述生成晶格缺陷的工序之后，通过将波长比作为所述结晶所吸收的能量最低的光的波长的吸收端波长更长的激光照射到所述半导体基板的所述第二主面，使硅从所述半导体基板中蒸发，从而在所述第二主面侧形成石墨烯导电层的工序；以及
在所述照射工序之后，在所述半导体基板的所述第二主面形成电极的工序,
其中，所述晶格缺陷为层积缺陷,
所述生成晶格缺陷的工序是对所述半导体基板的所述第二主面进行局部地外加力的工序。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
其中，所述生成晶格缺陷的工序是对所述半导体基板的所述第二主面进行磨削的工序。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
其中，所述照射工序是对平均每一平方厘米照射0.2J以上的能量的激光的照射工序。
4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
其中，所述半导体基板的第二主面中所述激光的形状为圆状或者线状。
5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
其中，所述激光是由氩离子激光照射出的激光。
6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：
其中，所述激光是YAG激光，或者是由SHG绿色激光照射出的激光。
7.一种半导体装置，其特征在于，包括：
由碳化硅结晶构成的半导体基板；
形成在所述半导体基板的第一主面上的半导体层；以及
在与所述半导体基板的所述第一主面相反的第二主面上形成的电极；
其中，所述半导体基板具有石墨导电层，在所述半导体基板的所述第二主面侧形成晶格缺陷后，通过波长比作为所述结晶所吸收的能量最低的光的波长的吸收端波长更长的激光被照射到所述第二主面，使硅从所述半导体基板中蒸发，从而在该半导体基板的所述第二主面侧形成所述导电层，
所述电极在照射激光从而形成所述石墨导电层后被形成,
所述晶格缺陷为层积缺陷,
生成所述晶格缺陷的工序是对所述半导体基板的所述第二主面进行局部地外加力的工序。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
