[发明专利]雪崩光电二极管

权利要求书

1.一种雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管包括：P型接触层、光吸收层、组分渐变对称倍增层和N型接触层，

其中，所述P型接触层与所述光吸收层相连，所述光吸收层与所述组分渐变对称倍增层相连，所述组分渐变对称倍增层与所述N型接触层相连；

所述组分渐变对称倍增层，用于放大电信号，所述组分渐变对称倍增层呈中心对称结构，由多个渐变层组成。

2.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管的材料为SiGe材料。

3.根据权利要求2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述雪崩光电二极管还包括：电荷层，

所述电荷层，用于调节各层的电场分布，所述电荷层的掺杂浓度大于等于10¹⁷/cm³，所述电荷层的厚度范围为50nm-200nm，所述电荷层位于所述光吸收层和所述对称渐变倍增层之间。

4.根据权利要求2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述P型接触层的掺杂浓度大于等于10¹⁹/cm³，所述P型接触层的厚度范围为100nm-200nm。

5.根据权利要求2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述光吸收层的厚度范围为200nm-2000nm。

6.根据权利要求2所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述光吸收层为P掺杂光吸收层，所述P掺杂光吸收层的掺杂浓度大于等于10¹⁷/cm³；

或，

所述光吸收层为非掺杂光吸收层，所述非掺杂光吸收层的掺杂浓度小于等于10¹⁶/cm³。

7.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述N型接触层的掺杂浓度大于等于10¹⁹/cm³，所述N型接触层与所述组分渐变对称倍增层相连。

8.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述组分渐变对称倍增层的组分为晶格失配材料对称分布，所述对称分布是指随着所述渐变层在所述组分渐变对称倍增层的位置的变化，所述渐变层中第一晶体材料的含量从0递增到100％，再从100％递减到0。

9.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述组分渐变对称倍增层中两端材料的禁带宽度小于所述渐变层的禁带宽度。

10.根据权利要求1所述的雪崩光电二极管，其特征在于，所述组分渐变对称倍增层中各个渐变层的厚度小于等于所述各个渐变层的倍增载流子的离化率的倒数。