[发明专利]用引导过孔来接触紧密间距的导电层的方法和结构

权利要求书

1.一种电路装置，包括：

电路衬底；

在所述电路衬底上的电介质层；

第一互连层和第二互连层，所述第一互连层具有在所述电介质层中的多条互连线且位于所述衬底上的第一平面中，所述第二互连层位于所述衬底上的不同的第二平面中，其中一部分所述电介质层将所述互连线与所述电路衬底分隔开；以及

硬掩模层，所述硬掩模层位于所述第一互连层与所述第二互连层之间，并且将所述第一互连层与所述第二互连层分隔开，

其中，所述硬掩模层包括交替的引导段和过孔引导部，所述交替的引导段中的每个引导段包括不同的硬掩模材料，所述过孔引导部形成于所述交替的引导段中的至少一个引导段中并用金属对所述过孔引导部进行填充，用于将所述第一互连层与所述第二互连层电连接。

2.根据权利要求1所述的电路装置，其中所述多条互连线中的每条互连线与所述交替的引导段中的一个引导段对准。

3.根据权利要求1所述的电路装置，其中，所述不同的硬掩模材料包括至少两种不同的硬掩模材料，所述至少两种不同的硬掩模材料允许相对于所述硬掩模材料中的其它硬掩模材料选择性地蚀刻所述硬掩模材料中的一种硬掩模材料。

4.根据权利要求1所述的电路装置，其中，所述不同的硬掩模材料包括第一硬掩模材料和第二硬掩模材料，并且所述交替的引导段中的每个引导段被第三硬掩模材料分隔开。

5.根据权利要求1所述的电路装置，其中，所述不同的硬掩模材料包括选自由以下各项组成的组的至少两种电介质材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化钛、氧化铪、氮化铝、氮化硼和非晶碳。

6.根据权利要求1所述的电路装置，其中，所述过孔引导部是第一过孔引导部，并且第二过孔引导部形成在所述交替的引导段中的另一个引导段中。

7.一种用于形成电路装置的方法，包括：

在集成电路结构上形成电介质层；

在所述电介质层中形成具有互连线的第一互连层，其中一部分所述电介质层将所述互连线与所述集成电路结构分隔开；

在所述电介质层的表面上形成硬掩模层，所述硬掩模层包括交替的硬掩模材料，所述交替的硬掩模材料在所述互连线上形成引导段；

在所述引导段中的一个引导段中形成过孔引导部并用金属对所述过孔引导部填充；以及

在所述硬掩模层之上形成第二互连层，其中，通过所述过孔引导部将所述第二互连层电连接到所述互连线的其中之一，其中在形成第二组所述互连线之前，形成第一组所述互连线。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述硬掩模层包括：

在所述电介质层上沉积第一硬掩模材料；

蚀刻所述第一硬掩模材料来形成第一组开口；

使用第二硬掩模材料来填充所述第一组开口；

蚀刻所述第一硬掩模材料来形成第二组开口；以及

使用第三硬掩模材料来填充所述第二组开口。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一硬掩模材料余留在所述第一组开口与所述第二组开口之间。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述交替的硬掩模材料包括至少两种不同的硬掩模材料，所述至少两种不同的硬掩模材料允许相对于所述至少两种不同的硬掩模材料中的其它硬掩模材料来选择性地蚀刻所述至少两种不同的硬掩模材料中的一种硬掩模材料。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述引导段包括与第一组所述互连线对准的第一组引导段、以及与第二组所述互连线对准的第二组引导段。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一组引导段由第一硬掩模材料形成，并且所述第二组引导段由与所述第一硬掩模材料不同的第二硬掩模材料形成。