[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

衬底，其具有有源区域和终端区域，该终端区域与所述有源区域相比配置在外侧；

p⁺型阳极层，其在所述有源区域形成于所述衬底的上表面的一部分；

多个p⁺型保护环层，其在所述终端区域形成于所述衬底的上表面的一部分；

n⁺型阴极层，其形成在所述衬底的下表面；

阳极电极，其与所述p⁺型阳极层连接；以及

金属制的阴极电极，其与所述n⁺型阴极层连接，

在所述终端区域，所述n⁺型阴极层被挖除而形成凹部，

所述阴极电极也形成在所述凹部内，

在俯视观察时仅在所述衬底的角部分形成有所述凹部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述终端区域，不仅挖除所述n⁺型阴极层，而且还挖除至所述衬底的中途而形成所述凹部。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述凹部不仅在所述终端区域延伸，而且还延伸至所述有源区域的中途。