[发明专利]气溶胶涂覆方法及该方法形成的耐等离子体构件

权利要求书

1.一种气溶胶涂覆方法，包括：

对具有第一平均粒径(D₅₀)的初级陶瓷颗粒实施热处理工艺，从而形成具有大于所述第一平均粒径的第二平均粒径(D₅₀)的陶瓷颗粒；

将所述陶瓷颗粒与载气混合而形成气溶胶；和

朝向基底喷射所述气溶胶从而在所述基底上形成陶瓷涂膜，

其中所述热处理工艺包括多级加热部分、温度维持部分和冷却部分，

所述多级加热部分相继地包括第一加热部分、暂停部分和第二加热部分，并且所述第二加热部分具有低于所述第一加热部分的温度升高速率，

且其中所述温度维持部分具有在1-5小时范围内的维持时间。

2.如权利要求1所述的气溶胶涂覆方法，其中所述第二平均粒径(D₅₀)具有4.5-12.0μm的范围。

3.如权利要求1所述的气溶胶涂覆方法，其中所述热处理工艺在500℃到1,400℃范围内的温度下实施。

4.如权利要求3所述的气溶胶涂覆方法，其中所述热处理工艺在1,000℃到1,200℃范围内的温度下实施。

5.如权利要求1所述的气溶胶涂覆方法，其中所述冷却部分具有不大于270℃/小时的冷却速率。

6.一种耐等离子体构件，包括：

基底；和

通过如权利要求1至5中任一项所述的方法在所述基底上所形成的陶瓷涂膜。

7.如权利要求6所述的耐等离子体构件，其中所述陶瓷涂膜与所述基底的附着力在14.0-17.5MPa范围内。

8.如权利要求6所述的耐等离子体构件，其中所述陶瓷涂膜具有在400-550Hv范围内的硬度。

9.如权利要求6所述的耐等离子体构件，其中当通过采用700W的功率且使用氟碳气体作为蚀刻气体的等离子体蚀刻来测量蚀刻速率时，所述陶瓷涂膜具有在0.52-0.58μm/h范围内的蚀刻速率。