[发明专利]基板保持方法和基板保持装置以及曝光方法和曝光装置

说明书

本发明提供一种保持晶圆的晶圆保持装置，该晶圆保持装置具有：晶圆保持件，其载置有晶圆；以及升降销，其设为能够相对于晶圆保持件沿着晶圆的载置面的法线方向升降。升降销具有前端部，该前端部具有形成吸附区域的底部、以及在吸附区域内支承晶圆的背面的凸部，其中该吸附区域吸附晶圆的背面。当将基板载置于作为目标的位置上时，即使该基板是大型的，也能够抑制载置该基板的局部的平整度降低。

技术领域

本发明涉及一种保持基板的基板保持技术、利用该基板保持技术的曝光技术以及利用该曝光技术的器件制造技术。

背景技术

在用于生产半导体元件等电子器件(微器件)的光刻工序中所使用的所谓步进机或者步进式扫描机等曝光装置中，为了保持作为曝光对象的基板的例如圆板状的半导体晶圆(以下仅称为晶圆。)，使用如下的所谓销卡盘(pin chuck)式的晶圆保持件，其在多个小的销状的突部之间配置有交接晶圆用的可升降的例如三根顶升销(中心销)。另外，为了提高在制造电子器件时的生产能力(throughput)(生产性)，晶圆直径的SEMI(SemiconductorEquipment and Materials International：国际半导体设备与材料产业协会)标准(SEMIstandards：SEMI标准)每隔几年就会呈125mm、150mm、200mm、300mm地以大致1.25～1.5倍的比例变大。

在以往的晶圆保持件上设置的顶升销是指，与晶圆接触的前端部以及其下方的部分的大小大致相同的棒状构件，在其中心部形成有利用在负压区域产生的吸附力的真空吸附用的排气孔(例如参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利第6590633号说明书

发明内容

最近，为了更加提高在制造电子器件时的生产能力，在SEMI标准下，进行直径为450mm的晶圆的标准化。若像这样使晶圆进一步地大型化，则在仅使保持晶圆的以往的棒状的三根顶升销下降来将晶圆交接至晶圆保持件的载置面(多个突部的上表面)的方法中，存在对晶圆的吸附力不足并且晶圆在顶升销的部分产生局部变形(应变)的担忧。若像这样产生晶圆的局部变形，则当将晶圆载置于该载置面时，存在因晶圆的残余应变等导致在晶圆与该载置面之间局部产生间隙(空间)的担忧。若像这样在晶圆与该载置面之间产生局部的间隙，则存在晶圆的被曝光区域的平整度降低，曝光精度(分辨率等)局部下降的担忧。

本发明的方式鉴于这种情况，其目的在于，在将保持对象的基板载置于作为目标的位置时，即使该基板为大型，也能够防止该基板的局部平整度降低。

根据本发明的第一方式，提供一种基板保持装置，该基板保持装置保持基板，其具有：基板保持部，其载置有该基板；以及支承构件，其设为能够相对于该基板保持部升降，该支承构件的端部具有：吸附部，其形成吸附该基板的背面的吸附区域；以及支承部，其在该吸附区域内支承该基板的背面。

根据第二方式，提供一种基板保持装置，该基板保持装置保持基板，其具有：基板保持部，其载置有该基板；以及支承构件，其设为能够相对于该基板保持部升降，该支承构件的端部具有：多孔质构件，其具有空隙部，且使该空隙部的至少一部分为负压来吸附该基板的背面；以及隔壁部，其形成为包围该多孔质构件的至少一部分。

根据第三方式，提供一种基板保持装置，该基板保持装置保持基板，其具有：基板保持部，其载置有该基板；以及支承构件，其设为能够相对于该基板保持部升降，该支承构件的端部具有：环状的第一支承部，支承该基板的背面；以及第二支承部，其在由该第一支承部围成的区域内支承该基板的背面。

根据第四方式，提供一种曝光装置，其利用曝光光线照射图案，利用该曝光光线经由该图案对基板进行曝光，该曝光装置具有本发明的方式的用于保持作为曝光对象的基板的基板保持装置、以及保持并移动该基板保持装置的该底座构件的载台。