[发明专利]吡唑基吡咯啉酮及其作为除草剂的用途在审
申请号: | 201380078772.0 | 申请日: | 2013-08-05 |
公开(公告)号: | CN105472986A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | J·E·波赫米尔;M·费德特;A·朗斯塔夫;J·A·莫里斯;T·R·戴森;M·B·霍特森;A·J·道灵;W·G·怀廷哈姆;A·J·达伦肯;P·J·德福莱恩;R·J·G·蒙迪埃;蜂巢主慈;A·J·汤普森;V·G·格帕尔萨慕斯拉姆 | 申请(专利权)人: | 先正达参股股份有限公司;先正达有限公司 |
主分类号: | A01N43/56 | 分类号: | A01N43/56;A01N43/90;C07D403/04;C07D409/14 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 张敏 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 吡唑 吡咯 及其 作为 除草剂 用途 | ||
1.一种具有化学式(I)的除草化合物
其中
X是选自S和O;
Ra是选自氢、C1-C6烷基以及C1-C6卤代烷基;
Rb是选自氢,甲酰基,羟基,卤素,硝基,氰基,C1-C6烷基,C1-C6氰基烷基,C3-C6环烷基, C3-C6氰基环烷基,C1-C6卤代烷基,C1-C6烷硫基,C1-C6烷氧基,C1-C6烷氧基C1-C6烷基,C1-C6烷 硫基C1-C6烷基,C1-C6氰基烷氧基,C1-C6卤代烷氧基,C1-C6烷氧基C1-C6烷氧基,C2-C6烯基, C2-C6炔基,C2-C6氰基烯基,C2-C6氰基炔基,C2-C6烯氧基,C2-C6炔氧基,C2-C6卤代烯基,C2-C6卤代炔基,C2-C6卤代烯氧基,C2-C6卤代炔氧基,C1-C6烷氧基C2-C6烯基,C1-C6烷氧基C2-C6炔 基,C1-C6烷基亚磺酰基,C1-C6烷基磺酰基,C1-C6卤代烷硫基,C1-C6卤代烷基亚磺酰基,C1-C6卤代烷基磺酰基,C1-C6烷基磺酰基氧基,C1-C6烷基羰基,C1-C6卤代烷基羰基,C2-C6烯基羰 基,C2-C6炔基羰基,C2-C6卤代烯基羰基,C2-C6卤代炔基羰基,三C1-C6烷基甲硅烷基C2-C6炔 基,C1-C6烷基酰胺基,基团R5R6N-,基团R5C(O)N(R6)-,基团R5S(O2)N(R6)-,基团R5R6NSO2-,任 选地被从1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷基以及 C1-C3卤代烷氧基的基团取代的C6-C10芳基基团,任选地被从1至3个独立地选自卤素、硝基、 氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷基以及C1-C3卤代烷氧基的基团取代的C6-C10芳氧 基基团,任选地被从1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代 烷基以及C1-C3卤代烷氧基的基团取代的C6-C10苄基基团,任选地被从1至3个独立地选自卤 素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷基以及C1-C3卤代烷氧基的基团取代的 C6-C10苄氧基基团,任选地被从1至3个独立地选自C1-C4烷基的基团取代的C3-C6杂环基基团 以及任选地被从1至3个独立地选自卤素或C1-C6烷基的基团取代的C3-C6环烷基基团;并且 其中当Rb是C2-C6炔基、C2-C6氰基炔基、C2-C6卤代炔基或C1-C6烷氧基C2-C6炔基时,该炔基基 团不直接附接至吡唑环;
Rc是选自氢、卤素、氰基、C1-C6烷基或C1-C6卤代烷基;
或Ra和Rb连同它们附接的氮和碳原子一起形成3-7元饱和或部分不饱和环,该环任选地 包括从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素、C1-C6烷 基和C1-C6卤代烷基的基团取代;
或Rb和Rc连同它们附接的碳原子一起形成3-7元饱和或部分不饱和环,该环任选地包含 从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素、C1-C6烷基和 C1-C6卤代烷基的基团取代;
R1是C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基或C1-C3烷氧基,并且R2是卤素或C1-C3烷氧基,附带条件是 R1和R2不都是C1-C3烷氧基;
R3选自卤素、羟基或以下基团中的任一个
R5和R6独立地选自氢、C1-C6烷基、C1-C6卤代烷基、C2-C6烯基、C2-C6炔基,或R5和R6连同它 们附接的碳原子一起形成3-6元饱和或部分不饱和环,该环任选地包括从1至3个独立地选 自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地选自卤素或C1-C6烷基的基团取代;
R7和R8独立地选自氢,C1-C6烷基,C1-C6卤代烷基,C2-C6烯基,C2-C6炔基,可以是单环或双 环的包括从1至4个独立地选自N、O和S的杂原子并且任选地被1至3个独立地选自卤素、C1-C3烷基、C1-C3卤代烷基以及C1-C3烷氧基的基团取代的C5-C10杂芳基基团,任选地被1至3个独 立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧基、C1-C3卤代烷基以及C1-C3卤代烷氧基的 基团取代的C6-C10芳基基团,或R7和R8连同它们附接的原子一起形成3-6元饱和或部分不饱 和环,该环任选地包括从1至3个独立地选自S、O和N的杂原子并且任选地被从1至3个独立地 选自卤素或C1-C6烷基的基团取代;
R9选自C1-C6烷基或任选地被1至3个独立地选自卤素、硝基、氰基、C1-C3烷基、C1-C3烷氧 基、C1-C3卤代烷基、以及C1-C3卤代烷氧基的基团取代的苄基;
或其N-氧化物或盐形式。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于先正达参股股份有限公司;先正达有限公司,未经先正达参股股份有限公司;先正达有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201380078772.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。