[发明专利]热界面材料层及包括热界面材料层的层叠封装件器件

权利要求书

1.一种热界面材料层，设置在下半导体封装件和上半导体封装件之间，热界面材料层的弹性模量为500kPa或更低，其中，所述热界面材料层进一步设置在所述下半导体封装件的下半导体芯片和所述上半导体封装件的上半导体封装件基底之间并直接接触所述下半导体芯片，并且其中，所述热界面材料层包括树脂层和分散在树脂层中的填料颗粒，并且所述热界面材料层中的所述填料颗粒的含量范围为60wt％至95wt％。

2.如权利要求1所述的热界面材料层，其中，热界面材料层具有小于7的莫氏硬度。

3.如权利要求1所述的热界面材料层，其中，热界面材料层的导热率为1W/mK或更高。

4.如权利要求1所述的热界面材料层，其中，

树脂层的弹性模量为500kPa或更低。

5.如权利要求4所述的热界面材料层，其中，树脂层由硅基化合物或橡胶基化合物形成。

6.如权利要求4所述的热界面材料层，其中，填料颗粒具有小于7的莫氏硬度。

7.如权利要求6所述的热界面材料层，其中，填料颗粒被构造为表现出绝缘性质。

8.如权利要求7所述的热界面材料层，其中，填料颗粒是氮化硼颗粒和氧化锌颗粒中的至少一种。

9.如权利要求7所述的热界面材料层，其中，填料颗粒中的至少一个包括涂覆有绝缘层的金属颗粒，金属颗粒具有小于7的莫氏硬度。

10.一种热界面材料层，设置在顺序地堆叠的下半导体封装件和上半导体封装件之间，其中，下半导体封装件的下封装件基底通过连接件电连接到上半导体封装件的上封装件基底，其中，所述热界面材料层进一步设置在所述下半导体封装件的下半导体芯片和所述上半导体封装件的上半导体封装件基底之间并直接接触所述下半导体芯片，其中，第一热界面材料层横向延伸以与所述连接件接触,并且其中，所述热界面材料层包括树脂层和分散在树脂层中的填料颗粒，并且所述热界面材料层中的所述填料颗粒的含量范围为60wt％至95wt％。

11.如权利要求10所述的热界面材料层，其中，热界面材料层具有500kPa或更低的弹性模量。

12.如权利要求10所述的热界面材料层，其中，热界面材料层的导热率为1W/mK或更高。

13.如权利要求10所述的热界面材料层，其中，

填料颗粒具有小于7的莫氏硬度。

14.如权利要求13所述的热界面材料层，其中，填料颗粒被构造为表现出绝缘性质。

15.如权利要求13所述的热界面材料层，其中，填料颗粒还包括氧化锌颗粒。

16.如权利要求13所述的热界面材料层，其中，填料颗粒中的至少一个包括涂覆有绝缘层的金属颗粒，金属颗粒具有小于7的莫氏硬度。

17.如权利要求13所述的热界面材料层，其中，树脂层的弹性模量为500kPa或更低。

18.如权利要求17所述的热界面材料层，其中，树脂层由硅基化合物或橡胶基化合物形成。